[发明专利]元件芯片的制造方法

摘要

一种元件芯片的制造方法，不使生产性下降地抑制等离子体对凸块的劣化及损伤的同时对基板进行单片化。包括：准备工序，准备具备具有凸块的第一面及第二面且具备由分割区域划分的多个元件区域的基板；凸块埋入工序，在第一面粘合具有粘合层的保护带，至少将凸块的头顶部埋入到粘合层；薄化工序，在凸块埋入工序后，在第一面粘合了保护带的状态下磨削第二面；掩模形成工序，在薄化工序后，在第二面形成掩模；保持工序，使第一面与用框架支承的保持带对置，使保持带保持基板；载置工序，在掩模形成工序及保持工序后，将基板经由保持带载置在等离子体处理载置台；单片化工序，在载置工序后，对分割区域从第二面至第一面进行等离子体蚀刻。

主权项

一种元件芯片的制造方法，包括：准备工序，准备基板，所述基板具备具有露出的凸块的第一面和所述第一面的相反侧的第二面，并且具备用分割区域划分的多个元件区域；凸块埋入工序，在所述第一面粘合具有粘合层的保护带，并且至少将所述凸块的头顶部埋入到所述粘合层；薄化工序，在所述凸块埋入工序之后，在所述第一面粘合了所述保护带的状态下对所述第二面进行磨削，从而对所述基板进行薄化；掩模形成工序，在所述薄化工序之后，在所述第二面形成被覆所述元件区域并且使所述分割区域露出的掩模；保持工序，使所述第一面与用框架支承的保持带对置，从而使所述保持带保持所述基板；载置工序，在所述掩模形成工序以及所述保持工序之后，将所述基板隔着所述保持带载置在设置于等离子体处理装置内的载置台；以及单片化工序，在所述载置工序之后，对所述分割区域从所述第二面至所述第一面进行等离子体蚀刻，从而从所述基板形成多个元件芯片。