[发明专利]元件芯片的制造方法

权利要求书

1.一种元件芯片的制造方法，包括：

准备工序，准备基板，所述基板具备具有露出的凸块的第一面和所述第一面的相反侧的第二面，并且具备用分割区域划分的多个元件区域；

凸块埋入工序，在所述第一面粘合具有粘合层的保护带，并且至少将所述凸块的头顶部埋入到所述粘合层；

薄化工序，在所述凸块埋入工序之后，在所述第一面粘合了所述保护带的状态下对所述第二面进行磨削，从而对所述基板进行薄化；

掩模形成工序，在所述薄化工序之后，在所述第二面形成被覆所述元件区域并且使所述分割区域露出的掩模；

保持工序，使所述第一面与用框架支承的保持带对置，从而使所述保持带保持所述基板；

载置工序，在所述掩模形成工序以及所述保持工序之后，将所述基板隔着所述保持带载置在设置于等离子体处理装置内的载置台；以及

单片化工序，在所述载置工序之后，对所述分割区域从所述第二面至所述第一面进行等离子体蚀刻，从而从所述基板形成多个元件芯片，

在所述凸块埋入工序中，形成由相邻的两个所述凸块、所述粘合层和所述第一面包围的空隙。

2.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述掩模形成工序在所述第一面粘合了所述保护带的状态下进行。

3.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述粘合层的厚度比所述凸块的高度大。

4.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，在所述保持工序中，使所述第一面隔着所述保护带与所述保持带对置，从而使所述保持带保持所述基板。

5.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，还包括：凸块露出工序，在所述薄化工序之后，并且在所述保持工序之前，从所述第一面剥离所述保护带，使所述凸块露出。

6.根据权利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述基板具备半导体层和电路层，所述电路层层叠在所述半导体层的所述第一面侧，并且具备所述凸块，

在所述准备工序中，准备在所述分割区域露出了所述半导体层的所述基板。