[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710356508.9 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107507864B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了半导体器件及其制造方法。在防止元件的性能由于应力的增加被恶化的同时降低FINFET的电阻，从而提高半导体器件的性能。当形成在第一鳍部的上侧上的存储单元和形成在第二鳍部的上侧上的n晶体管被安装在同一半导体衬底上时，具有存储单元的源极/漏极区域的第一鳍部的表面被硅化物层覆盖，并且n晶体管的源极/漏极区域的一部分由覆盖第二鳍部的表面的外延层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，其具有沿所述半导体衬底的主表面布置的第一区域和第二区域；第一突出部，其作为所述半导体衬底在所述第一区域中的部分并且在沿所述半导体衬底的主表面在第一方向上延伸的同时从所述半导体衬底的顶部突出；第一栅电极，其在正交于所述第一方向的第二方向上延伸的同时形成在所述第一突出部的顶部上方，其中第一绝缘膜在所述第一栅电极与所述第一突出部的顶部之间；第二栅电极，其形成在所述第一突出部的顶部上方并且在所述第二方向上延伸的同时与所述第一栅电极的一个侧壁相邻，其中作为电荷累积部分的第二绝缘膜在所述第二栅电极与所述第一突出部的顶部之间，并且所述第二绝缘膜在所述第二栅电极与所述第一栅电极的所述一个侧壁之间；第一源极/漏极区域，其形成在所述第一突出部的顶部上方以便在所述第一方向上夹住包括所述第一栅电极和所述第二栅电极的图案；第二突出部，其作为所述半导体衬底在所述第二区域中的部分并且在所述第一方向上延伸的同时从所述半导体衬底的顶部突出；第三栅电极，其形成在所述第二突出部的顶部上方并且在所述第二方向上延伸，其中第三绝缘膜在所述第三栅电极与所述第二突出部的顶部之间；第二源极/漏极区域，其形成在所述第二突出部的顶部上方以便在所述第一方向上夹住所述第三栅电极；第一硅化物层，其覆盖所述第一源极/漏极区域的顶部和侧壁并且与所述第一突出部接触；以及半导体层，其覆盖所述第二源极/漏极区域的顶部和侧壁并且与所述第二突出部接触，其中所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第一源极/漏极区域配置非易失性存储元件，以及其中所述第三栅电极和所述第二源极/漏极区域配置晶体管。
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