[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，其具有沿所述半导体衬底的主表面布置的第一区域和第二区域；

第一突出部，其作为所述半导体衬底在所述第一区域中的部分并且在沿所述半导体衬底的主表面在第一方向上延伸的同时从所述半导体衬底的顶部突出；

第一栅电极，其在正交于所述第一方向的第二方向上延伸的同时形成在所述第一突出部的顶部上方，其中第一绝缘膜在所述第一栅电极与所述第一突出部的顶部之间；

第二栅电极，其形成在所述第一突出部的顶部上方并且在所述第二方向上延伸的同时与所述第一栅电极的一个侧壁相邻，其中作为电荷累积部分的第二绝缘膜在所述第二栅电极与所述第一突出部的顶部之间，并且所述第二绝缘膜在所述第二栅电极与所述第一栅电极的所述一个侧壁之间；

第一源极/漏极区域，其形成在所述第一突出部的顶部上方以便在所述第一方向上夹住包括所述第一栅电极和所述第二栅电极的图案；

第二突出部，其作为所述半导体衬底在所述第二区域中的部分并且在所述第一方向上延伸的同时从所述半导体衬底的顶部突出；

第三栅电极，其形成在所述第二突出部的顶部上方并且在所述第二方向上延伸，其中第三绝缘膜在所述第三栅电极与所述第二突出部的顶部之间；

第二源极/漏极区域，其形成在所述第二突出部的顶部上方以便在所述第一方向上夹住所述第三栅电极；

第一硅化物层，其覆盖所述第一源极/漏极区域的顶部和侧壁并且与所述第一突出部接触；以及

半导体层，其覆盖所述第二源极/漏极区域的顶部和侧壁并且与所述第二突出部接触，

其中所述第一栅电极、所述第二栅电极和所述第一源极/漏极区域配置非易失性存储元件，

其中所述第三栅电极和所述第二源极/漏极区域配置晶体管，以及

其中所述半导体层的顶部的位置高于所述第一硅化物层的顶部的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第四绝缘膜，其形成在所述半导体衬底上方并且覆盖所述非易失性存储元件和所述晶体管；

第一耦合部分，其穿过所述第四绝缘膜并且电耦合到所述第一源极/漏极区域，其中所述第一硅化物层在所述第一耦合部分与所述第一源极/漏极区域之间；以及

第二耦合部分，其穿过所述第四绝缘膜并且电耦合到所述第二源极/漏极区域，

其中所述第二耦合部分的底部的位置高于所述第一耦合部分的底部的位置。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第一耦合部分与所述第一硅化物层接触，以及

其中所述第二耦合部分经由第二硅化物层和所述半导体层在所述第二突出部中耦合到所述第二源极/漏极区域，所述第二硅化物层形成在所述第二耦合部分与所述半导体层之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体层的在所述第二耦合部分旁边的顶部从所述第二硅化物层暴露。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一硅化物层包括硅化镍，并且所述第二硅化物层包括硅化钛。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中包含钛的第一金属膜存在于所述第一耦合部分与所述第一硅化物层之间，以及

其中所述第二耦合部分经由第二硅化物层和所述半导体层在所述第二突出部中耦合到所述第二源极/漏极区域，所述第二硅化物层形成在所述第二耦合部分与所述半导体层之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层配置所述第二源极/漏极区域的一部分。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第三栅电极包括第二金属膜。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一栅电极包括第三金属膜，并且所述第二栅电极包括第四金属膜。