[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710355400.8 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108933173A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 吴健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘剑波 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、位于衬底上的有源区、位于有源区中的至少一个电极、以及至少覆盖有源区和电极的层间电介质层，刻蚀层间电介质层以形成露出电极的接触孔，在接触孔的底部和侧壁上形成导电粘合层，在导电粘合层上形成填充接触孔的接触件。本发明通过在接触孔底部和侧壁上形成导电粘合层，从而避免有源区电极在接触件形成过程中不会被氧化，由此可有效降低半导体装置的接触阻抗和势垒高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 导电粘合层 电极 接触孔 源区 衬底结构 接触件 侧壁 衬底 半导体技术领域 层间电介质层 填充接触孔 电介质层 接触阻抗 源区电极 刻蚀层 势垒 制造 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底结构，所述衬底结构包括：衬底；位于所述衬底上的有源区；位于所述有源区中的至少一个电极；以及至少覆盖所述有源区和所述电极的层间电介质层；刻蚀所述层间电介质层以形成露出所述电极的接触孔；在所述接触孔的底部和侧壁上形成导电粘合层；以及在所述导电粘合层上形成填充所述接触孔的接触件。
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