[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、位于衬底上的有源区、位于有源区中的至少一个电极、以及至少覆盖有源区和电极的层间电介质层，刻蚀层间电介质层以形成露出电极的接触孔，在接触孔的底部和侧壁上形成导电粘合层，在导电粘合层上形成填充接触孔的接触件。本发明通过在接触孔底部和侧壁上形成导电粘合层，从而避免有源区电极在接触件形成过程中不会被氧化，由此可有效降低半导体装置的接触阻抗和势垒高度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，简称为FinFET)是一种新型的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管，具有较好的短沟道效应控制能力、较高的驱动电流和较低的耗电量，具有功耗低，面积小的优点，其有希望延续摩尔定律，目前已经开始14纳米节点推进。当前在鳍式场效应晶体管形成有源区的接触件的工艺中，通过去除如图1A所示的有机分布层1以露出有源区电极，如图1B所示。其中，半导体鳍片21为NFET，半导体鳍片22为PFET。电极31和电极33为源极，电极32和电极34为漏极。从而图2可以看出，由于刻蚀会导致有源区电极中的硅被氧化，从而形成硅氧化物301、302、303和304，由此会带来较高的接触阻抗和势垒高度，由此降低了半导体装置的质量。

发明内容

本发明的发明人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了新的技术方案。

本发明一个实施例的目的之一是：提供一种半导体装置的制造方法。本发明一个实施例的目的之一是：提供一种半导体装置。通过在穿过层间电介质层以露出有源区电极的接触孔底部和侧壁上形成导电粘合层，从而避免有源区电极在接触件形成过程中不会被氧化，由此可有效降低半导体装置的接触阻抗和势垒高度。

根据本发明的第一方面，提供了一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

提供衬底结构，衬底结构包括：

衬底；

位于衬底上的有源区；

位于有源区中的至少一个电极；以及

至少覆盖有源区和电极的层间电介质层；

刻蚀层间电介质层以形成露出电极的接触孔；

在接触孔的底部和侧壁上形成导电粘合层；以及

在导电粘合层上形成填充接触孔的接触件。

在一个实施例中，至少一个电极包括源极和漏极；

接触孔包括：露出源极的第一接触孔和露出漏极的第二接触孔；

接触件包括：填充第一接触孔的第一连接件和填充第二接触孔的第二接触件。

在一个实施例中，有源区为半导体鳍片。

在一个实施例中，接触孔包括在电极之上的第一部分和位于第一部分之上的第二部分，其中第一部分的横向宽度小于第二部分的横向宽度。

在一个实施例中，刻蚀层间电介质层以形成露出电极的接触孔的步骤包括：

对层间电介质层进行刻蚀以形成露出电极的开口；

对开口的侧壁的一部分进行刻蚀，以便形成接触孔。

在一个实施例中，衬底结构还包括：在有源区上的栅极结构，其中，源极和漏极分别在栅极结构两侧，层间电介质层覆盖栅极结构。

在一个实施例中，栅极结构包括：在有源区表面的一部分上的栅极电介质层和在栅极电介质层上的栅极。