[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201710355400.8 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108933173A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 吴健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘剑波 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体装置 导电粘合层 电极 接触孔 源区 衬底结构 接触件 侧壁 衬底 半导体技术领域 层间电介质层 填充接触孔 电介质层 接触阻抗 源区电极 刻蚀层 势垒 制造 覆盖 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底结构，所述衬底结构包括：
衬底；
位于所述衬底上的有源区；
位于所述有源区中的至少一个电极；以及
至少覆盖所述有源区和所述电极的层间电介质层；
刻蚀所述层间电介质层以形成露出所述电极的接触孔；
在所述接触孔的底部和侧壁上形成导电粘合层；以及
在所述导电粘合层上形成填充所述接触孔的接触件。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述至少一个电极包括源极和漏极；
所述接触孔包括：露出所述源极的第一接触孔和露出所述漏极的第二接触孔；
所述接触件包括：填充所述第一接触孔的第一连接件和填充所述第二接触孔的第二接触件。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述有源区为半导体鳍片。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述接触孔包括在所述电极之上的第一部分和位于第一部分之上的第二部分，其中所述第一部分的横向宽度小于所述第二部分的横向宽度。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，
刻蚀所述层间电介质层以形成露出所述电极的接触孔的步骤包括：
对所述层间电介质层进行刻蚀以形成露出所述电极的开口；
对所述开口的侧壁的一部分进行刻蚀，以便形成接触孔。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述衬底结构还包括：在所述有源区上的栅极结构，其中，所述源极和所述漏极分别在所述栅极结构两侧，所述层间电介质层覆盖所述栅极结构。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，
所述栅极结构包括：在所述有源区表面的一部分上的栅极电介质层和在所述栅极电介质层上的栅极。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，
在形成所述接触件之前，所述方法还包括：
在形成所述导电粘合层之后的衬底结构上形成牺牲层，所述牺牲层填充所述接触孔；
对所述牺牲层和所述层间电介质层进行刻蚀以形成露出所述栅极的连接孔；以及
去除所述牺牲层。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，
在形成接触件的过程中，在所述连接孔中形成与所述栅极接触的连接件。
10.一种半导体装置，其特征在于，包括：
衬底结构，所述衬底结构包括：
衬底；
位于所述衬底上的有源区；
位于所述有源区中的至少一个电极；以及
至少覆盖所述有源区和所述电极的层间电介质层；
穿过所述层间电介质层以露出所述电极的接触孔；
在所述接触孔的底部和侧壁上的导电粘合层；以及
在所述导电粘合层上填充所述接触孔形成的接触件。
11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，
所述至少一个电极包括源极和漏极；
所述接触孔包括：露出所述源极的第一接触孔和露出所述漏极的第二接触孔；
所述接触件包括：填充所述第一接触孔的第一连接件和填充所述第二接触孔的第二接触件。
12.如权利要求10所述的装置，其特征在于，
所述有源区为半导体鳍片。
13.如权利要求10所述的装置，其特征在于，
所述接触孔包括在所述电极之上的第一部分和位于第一部分之上的第二部分，其中所述第一部分的横向宽度小于所述第二部分的横向宽度。
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