[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710355386.1 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108962987B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体装置包括：半导体衬底；在该半导体衬底上的半导体鳍片；在该半导体鳍片上的栅极结构；在该半导体鳍片中且分别在该栅极结构两侧的第一凹陷和第二凹陷；位于该第一凹陷和该第二凹陷中的至少一个凹陷的底部和侧壁上的扩散阻挡层；以及在该扩散阻挡层上的电极。本发明中，在半导体装置的凹陷的底部和侧壁上形成了扩散阻挡层，电极形成在该扩散阻挡层上，该扩散阻挡层可以尽可能地减小电极内的P型掺杂物或N型掺杂物向沟道区扩散的可能性，从而可以尽量避免降低沟道区的载流子迁移率，改善短沟道效应，从而提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的半导体鳍片；在所述半导体鳍片上的栅极结构；在所述半导体鳍片中且分别在所述栅极结构两侧的第一凹陷和第二凹陷；位于所述第一凹陷和所述第二凹陷中的至少一个凹陷的底部和侧壁上的扩散阻挡层；以及在所述扩散阻挡层上的电极。
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