[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上的半导体鳍片；

在所述半导体鳍片上的栅极结构；

在所述半导体鳍片中且分别在所述栅极结构两侧的第一凹陷和第二凹陷；

位于所述第一凹陷和所述第二凹陷的底部和侧壁上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括含氮的第一扩散阻挡层和含碳的第二扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层在所述第一凹陷和所述第二凹陷的底部和侧壁上，所述第二扩散阻挡层在所述第一扩散阻挡层上；以及

在所述扩散阻挡层上的电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述扩散阻挡层中，所述碳的掺杂浓度为1×10¹⁸atom/cm³到1×10²⁰atom/cm³；

在所述扩散阻挡层中，所述氮的掺杂浓度为1×10¹⁹atom/cm³到1×10²⁰atom/cm³。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电极包括：在所述扩散阻挡层上且填充所述第一凹陷的抬升的源极和在所述扩散阻挡层上且填充所述第二凹陷的抬升的漏极。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述扩散阻挡层的导电类型与所述电极的导电类型相同。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述扩散阻挡层的厚度范围为8nm至35nm；

所述第一扩散阻挡层的厚度范围为4nm至16nm；

所述第二扩散阻挡层的厚度范围为4nm至16nm。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述栅极结构包括：在所述半导体鳍片的一部分上的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上的栅极以及在所述栅极侧面上的间隔物。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电极包含：碳和/或氮。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

在所述电极中的所述碳和/或所述氮的注入深度分别为1nm至20nm；

在所述电极中的所述碳和/或所述氮的注入浓度分别为1×10¹⁹atom/cm³到5×10²⁰atom/cm³。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：半导体衬底、在所述半导体衬底上的半导体鳍片以及在所述半导体鳍片上的栅极结构；

在所述半导体鳍片中且分别在所述栅极结构两侧形成第一凹陷和第二凹陷；

在所述第一凹陷和所述第二凹陷的底部和侧壁上形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括含氮的第一扩散阻挡层和含碳的第二扩散阻挡层，其中形成扩散阻挡层的步骤包括：通过外延工艺在所述第一凹陷和所述第二凹陷的底部和侧壁上形成第一扩散阻挡层，以及通过外延工艺在所述第一扩散阻挡层上形成第二扩散阻挡层；以及

在所述扩散阻挡层上形成电极。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，

在所述扩散阻挡层中，所述碳的掺杂浓度为1×10¹⁸atom/cm³到1×10²⁰atom/cm³；

在所述扩散阻挡层中，所述氮的掺杂浓度为1×10¹⁹atom/cm³到1×10²⁰atom/cm³。