[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 201710352118.4 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107452712B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡永智;许玮哲;杨欲忠;亚历山大·克尔尼斯基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭示一种半导体结构，其包含：衬底；栅极结构，其经安置于所述衬底上方；介电材料，其经安置于所述衬底和所述栅极结构上方；导电结构，其在所述介电材料内延伸；和空隙，其在所述介电材料内延伸且经安置于所述栅极结构上方。本发明实施例揭示的半导体结构，其性能能够得到有效的改良。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：衬底；栅极结构，其安置于所述衬底上方；介电材料，其安置于所述衬底和所述栅极结构上方；导电结构，其在所述介电材料内延伸；和空隙，其在所述介电材料内延伸且安置于所述栅极结构上方。
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