[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底；

栅极结构，其安置于所述衬底上方；

介电材料，其安置于所述衬底和所述栅极结构上方；

多个导电结构，其在所述介电材料内延伸，所述导电结构中的至少一个包括插塞部分和所述插塞部分上的顶部金属部分，其中所述顶部金属部分的宽度大于所述插塞部分的宽度；

空隙，其在所述介电材料内延伸且安置于所述栅极结构上方；和

保形电介质，其沿着所述介电材料的内侧壁安置于邻近所述空隙处，其中所述保形电介质的内表面界定所述空隙的外延部；

其中所述保形电介质包含第一保形层和第二保形层，所述第一保形层和所述第二保形层沿着所述介电材料的内侧壁安置。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述空隙被所述介电材料和所述保形电介质中的至少一个围封且密封。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述空隙的宽度对高度的比为显著大于1:2。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述空隙包含在所述介电材料内伸长的主体部分和远离所述栅极结构的端部分，所述端部分与所述主体部分耦合并且从所述主体部分远离所述栅极结构呈楔形。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述空隙包含在所述栅极结构上方的第一部分、在所述第一部分上方的第二部分以及在所述第一部分和所述第二部分上方的第三部分，所述第二部分安置于所述第一部分与所述第三部分之间，所述第二部分的宽度显著小于所述第一部分的宽度或所述第三部分的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分中的至少两个在圆形侧壁处终止。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一部分具有第一宽度且所述第三部分具有大致等于或小于所述第一宽度的第三宽度，其中所述第一宽度对所述第三宽度的比在1:1与2:1之间的范围内。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一部分的宽度或所述第三部分的宽度是约250nm到约450nm，且所述第二部分的宽度是约80nm到约220nm。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电结构中的所述至少一个与所述栅极结构和所述空隙相邻。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电结构中的所述至少一个与所述衬底或所述栅极结构电连接。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述空隙处于真空中或填充有空气或气体。

12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述栅极结构是晶体管或包含多晶硅或金属栅极。