[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201710352102.3 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107403742B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 天久贤治;吉田武司;难波敏光 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 基板处理装置包括:基板保持单元,其将基板保持为水平;基板旋转单元,其使被保持的基板绕沿铅直方向的规定的旋转轴线旋转;处理液供给喷嘴,其沿水平方向移动,向被保持的基板的上表面供给处理液;切断构件,其将与被保持的基板的上表面之间的环境气体从周围环境气体切断;非活性气体供给单元,其向被保持的基板的上表面与切断构件之间供给非活性气体;切断构件旋转单元,其使切断构件绕所述旋转轴线旋转;控制器,其控制切断构件旋转单元,调整旋转方向上的通过容许部的位置,以使处理液供给喷嘴能够通过环状部。切断构件包括包围由基板保持单元保持的基板的环状部、以及设置于环状部并容许所述处理液供给喷嘴通过所述环状部的通过容许部。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其中,包括:基板保持单元,其将基板保持为水平;基板旋转单元,其使由所述基板保持单元保持的基板绕沿铅直方向的规定的旋转轴线旋转;处理液供给喷嘴,其沿水平方向移动,向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液;切断构件,是将其与由所述基板保持单元保持的基板的上表面之间的环境气体从周围环境气体切断的构件,所述切断构件包括包围由所述基板保持单元保持的基板的环状部、以及设置于所述环状部并容许所述处理液供给喷嘴通过所述环状部的通过容许部;非活性气体供给单元,其向由所述基板保持单元保持的基板的上表面与所述切断构件之间供给非活性气体;切断构件旋转单元,其使所述切断构件绕所述旋转轴线旋转;以及控制器,其控制所述切断构件旋转单元,调整旋转方向上的所述通过容许部的位置,以使所述处理液供给喷嘴能够通过所述环状部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造