[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201710352102.3 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107403742B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 天久贤治;吉田武司;难波敏光 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
基板处理装置包括:基板保持单元,其将基板保持为水平;基板旋转单元,其使被保持的基板绕沿铅直方向的规定的旋转轴线旋转;处理液供给喷嘴,其沿水平方向移动,向被保持的基板的上表面供给处理液;切断构件,其将与被保持的基板的上表面之间的环境气体从周围环境气体切断;非活性气体供给单元,其向被保持的基板的上表面与切断构件之间供给非活性气体;切断构件旋转单元,其使切断构件绕所述旋转轴线旋转;控制器,其控制切断构件旋转单元,调整旋转方向上的通过容许部的位置,以使处理液供给喷嘴能够通过环状部。切断构件包括包围由基板保持单元保持的基板的环状部、以及设置于环状部并容许所述处理液供给喷嘴通过所述环状部的通过容许部。
技术领域
本发明涉及处理基板的基板处理装置及基板处理方法。成为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(Field EmissionDisplay:场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在利用逐张地处理基板的单张式基板处理装置的基板处理中,例如,向由旋转卡盘大致水平地保持的基板供给药液。之后,向基板供给冲洗液,由此,基板上的药液被置换成冲洗液。之后,进行用于排除基板上的冲洗液的旋转脱水工序。
如图12所示,在基板的表面形成有细微图案的情况下,存在在旋转脱水工序中不能去除进入了图案内部的冲洗液之虞,由此,存在产生干燥不良的担忧。进入图案内部的冲洗液的液面(空气与液体之间的界面)形成于图案的内部,从而在液面与图案之间的接触位置产生液体的表面张力。在该表面张力大的情况下,容易引起图案的倒塌。由于作为典型的冲洗液的水的表面张力大,因此不能忽视旋转脱水工序中的图案倒塌。
于是,能够考虑到如下情况:供给比水的表面张力低的低表面张力液体的异丙醇(Isopropyl Alcohol:IPA),用IPA置换进入图案内部的水,之后通过去除IPA来使基板上表面干燥。
为了去除IPA来使基板上表面迅速干燥,有必要降低基板上表面附近的环境气体的湿度。此外,溶解于IPA的氧可能使图案氧化,因此需要降低基板上表面附近的环境气体的氧浓度来使氧不溶于IPA。但是,在处理腔室的内部空间容纳有旋转卡盘等构件,因此处理腔室的内部空间比较大。因此,难以降低处理腔室内整体环境气体的氧浓度和湿度。
美国专利申请公开第2015/234296号说明书的基板处理装置具备:切断构件,其配置于使基板绕通过该基板中央部的铅直旋转轴线旋转的旋转卡盘的上方;以及中心喷嘴,其沿着切断构件的中心线沿上下方向延伸。切断构件包括:圆板部,其具有与由旋转卡盘保持的基板的上表面相向的相向面;以及圆筒部,其从圆板部的外周部向下方延伸。圆板部上形成有在与该基板的上表面相向的相向面的中央处开口的向下喷出口。从向下喷出口向下方喷出处理液、氮气等。中心喷嘴经由向下喷出口向下方喷出处理液。
在美国专利申请公开第2015/234296号说明书的基板处理装置中,在切断构件位于使从由旋转卡盘保持的基板的上表面到切断构件的相向面的距离较近的接近位置的状态下,从向下喷出口喷出氮气,由此,使基板与切断构件之间的空间充满氮气。在该状态,能够从中心喷嘴向基板上表面供给处理液。
但是,存在想要根据处理液的用途、基板处理装置的规格等,使用能够沿水平方向移动的喷嘴向基板供给处理液的情况。这种情况下,从喷嘴向基板供给处理液,应当以不使喷嘴与切断构件圆筒部干渉的方式,向上方移动切断构件。这样,就不能充分限制基板上的空间,因此存在不能将基板与切断构件之间的环境气体的氧浓度和湿度保持在低水平的问题。
发明内容
因此,本发明的一个目的在于提供一种基板处理装置和基板处理方法,其能够在降低被保持为水平的基板的上表面与切断构件之间的环境气体的氧浓度和湿度的状态下,从能够水平移动的处理液供给喷嘴向基板的上表面供给处理液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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