[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201710352102.3 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107403742B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 天久贤治;吉田武司;难波敏光 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,包括:
基板保持单元,其将基板保持为水平;
基板旋转单元,其使由所述基板保持单元保持的基板绕沿铅直方向的规定的旋转轴线旋转;
处理液供给喷嘴,其沿水平方向移动,向由所述基板保持单元保持的基板的上表面供给处理液;
切断构件,将其与由所述基板保持单元保持的基板的上表面之间的环境气体从周围环境气体切断;
非活性气体供给单元,其向由所述基板保持单元保持的基板的上表面与所述切断构件之间供给非活性气体;以及
切断构件旋转单元,其使所述切断构件绕所述旋转轴线旋转;
所述切断构件包括:
相对部,其具有与由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面相对的相对面;
环状部,其从所述相对部的周边部向下方延伸,在俯视下包围由所述基板保持单元保持的基板;以及
通过容许部,其设置于所述环状部并容许所述处理液供给喷嘴通过所述环状部,
所述基板处理装置还包括:
在俯视下包围所述环状部的挡板;
切断构件升降单元,其使所述切断构件在接近位置与比所述接近位置更靠上方的上位置之间移动,所述接近位置是指所述环状部的下端比所述挡板的上端更靠下方且所述环状部从所述基板的旋转径向的外侧与所述基板保持单元相对的位置;以及
控制器,其控制所述切断构件旋转单元和所述切断构件升降单元,
所述挡板在所述切断构件位于所述接近位置时从所述旋转径向的外侧与所述环状部相对,
所述控制器通过控制所述切断构件旋转单元,调整旋转方向上的所述通过容许部的位置,以使所述处理液供给喷嘴能够通过所述环状部,并且,所述控制器通过控制所述切断构件升降单元,使所述切断构件在所述处理液供给喷嘴通过所述环状部时位于所述接近位置,
在所述切断构件位于所述接近位置时,所述环状部的下端位于比所述基板的上表面更靠下方的位置,在所述切断构件位于所述上位置时,所述环状部的下端位于比所述基板的上表面更靠上方的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述处理液供给喷嘴经由所述通过容许部,在比所述环状部更靠近所述旋转轴线侧的位置和相对于所述环状部靠近所述旋转轴线的相反侧的位置之间移动。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述环状部还包括受液部,所述受液部被设置于比所述通过容许部更上方,接受向所述基板外排除的处理液。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述基板处理装置还包括环状部移动机构,所述环状部移动机构使所述环状部相对所述相对部上下移动。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述通过容许部包括贯通孔,所述贯通孔贯通所述环状部。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述通过容许部包括切口,所述切口从下端向上方切掉所述环状部。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
还包括:
轴状的喷嘴臂,其支撑所述处理液供给喷嘴,并沿水平方向延伸,以及
喷嘴旋转单元,其使所述处理液供给喷嘴绕所述喷嘴臂的中心轴线旋转;
所述处理液供给喷嘴沿与所述喷嘴臂的中心轴线交叉的方向延伸,
所述通过容许部包括贯通所述环状部的长孔,该长孔的长度方向沿水平方向。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,还包括,
处理液通过抑制单元,其抑制向由所述基板保持单元保持的基板外排除的处理液经由所述通过容许部而通过所述环状部。
9.一种基板处理方法,其中,包括:
基板旋转工序,使被基板保持单元保持为水平的基板绕沿铅直方向的规定的旋转轴线旋转;
切断构件旋转工序,使切断构件绕所述旋转轴线旋转,所述切断构件是将该切断构件与所述基板的上表面之间的环境气体从周围环境气体切断的构件,且所述切断构件包括相对部和环状部,所述相对部具有与由所述基板保持单元保持的所述基板的上表面相对的相对面,所述环状部从所述相对部的周边部向下方延伸并在俯视下包围由所述基板保持单元保持的基板;
非活性气体供给工序,在将所述基板的上表面与所述切断构件之间的环境气体从周围环境气体切断的状态下,向所述基板的上表面与所述切断构件之间供给非活性气体;
切断构件移动工序,使所述切断构件移动至接近位置,所述接近位置是指所述环状部的下端比在俯视图中包围所述环状部的挡板的上端更靠下方、且所述环状部从所述基板的旋转径向的外侧与所述基板保持单元相对、且所述环状部从所述基板的所述旋转径向的内侧与所述挡板相对的位置;
位置调整工序,使所述切断构件停止旋转,调整旋转方向上的通过容许部的位置,以使向所述基板的上表面供给处理液的处理液供给喷嘴能够经由设置于所述环状部的所述通过容许部而通过所述环状部;以及
喷嘴移动工序,在将所述切断构件配置在所述接近位置的状态下,使所述处理液供给喷嘴经由所述通过容许部而通过所述环状部,将所述处理液供给喷嘴移动至与所述基板相对的位置,
在所述切断构件位于所述接近位置时,所述环状部的下端位于比所述基板的上表面更靠下方的位置,在所述切断构件位于比所述接近位置更靠上方的上位置时,所述环状部的下端位于比所述基板的上表面更靠上方的位置。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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