[发明专利]使用深亚微米应力效应和邻近效应来产生高性能标准单元有效
| 申请号： | 201710352091.9 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN107403025B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | M.贝尔津斯;A.P.胡佛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F30/3312 | 分类号： | G06F30/3312;G06F30/396;G06F30/398;G06F119/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个一般方面，一种方法可以包括接收电路模型，该电路模型包括通过相应的单元所表示的逻辑电路。该方法可以包括提供对电路模型的定时调整。该提供可以包括：通过采用亚微米应力效应来确定作为用于调整的候选的一个或多个相应的单元，并且，对于每个候选，利用受应力单元来替换候选单元，其中，候选单元和受应力单元执行相同的逻辑功能。每个受应力单元可以包括：栅极电极；被安置为切割栅极电极的第一栅极切割形状，其中，第一栅极切割形状被安置在行边界上；安置在行边界上的第二栅极切割形状；被安置在第一栅极切割形状与第二栅极切割形状之间的栅极切割中断；有源区；以及被安置为切割有源区的有源切割形状。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 微米 应力 效应 邻近 产生 性能 标准 单元 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：接收电路模型，该电路模型包括通过相应的单元所表示的逻辑电路；和通过以下来提供对电路模型的定时调整：通过采用亚微米应力效应来确定作为用于调整的候选的一个或多个相应的单元，以及对于每个候选，采用受应力单元来替换候选单元，其中，候选单元和受应力单元执行相同的逻辑功能；并且其中，每个受应力单元包括：栅极电极，被安置为切割栅极电极的第一栅极切割形状，其中，第一栅极切割形状被安置在行边界上，被安置在行边界上的第二栅极切割形状，被安置在第一栅极切割形状与第二栅极切割形状之间的栅极切割中断，有源区，以及被安置为切割有源区的有源切割形状，其中，有源切割形状也被完全地包括在相应的受应力单元内。
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