[发明专利]硅光电倍增器上重新图案化传输线在审
| 申请号： | 201710345864.0 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107393897A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | J.W.罗斯;D.L.麦克丹尼尔;S.I.多林斯基;S.帕利特 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L31/02;H01L31/107;H01L27/144;H01L31/18;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 郑浩,付曼 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅光电倍增器阵列，所述硅光电倍增器阵列包括在所述光电倍增管阵列内且位于硅晶片上的多个微单元，所述多个微单元以行和列布置，所述多个微单元中的每一个包括输出端口，并且配置成提供具有脉冲特征的脉冲波形；与硅晶片层背表面接触的至少一个重新图案化介电层，所述硅晶片具有与所述背表面相对的有源表面；以及多个相应的硅通孔，所述硅通孔将所述硅晶片的所述有源表面上的所述多个微单元中的相应微单元的输出端口连接到设置在所述硅晶片的所述背表面的所述至少一个重新图案化介电层上的多个相应电路线路。本发明还公开了一种用于制造硅光电倍增器阵列的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 倍增器 重新 图案 传输线 | ||
【主权项】：
一种硅光电倍增器阵列，包括：多个微单元，所述多个微单元在所述硅光电倍增器阵列中并位于硅晶片上，所述多个微单元以行和列布置；所述多个微单元中的每一个包括输出端口，并配置成提供具有脉冲特征的脉冲波形；与硅晶片层背表面接触的至少一个重新图案化介电层，所述硅晶片具有与所述背表面相对的有源表面；以及多个相应硅通孔(TSV)，所述多个相应硅通孔将所述硅晶片的有源表面上的所述多个微单元中的相应微单元的输出端口连接到设置在所述硅晶片的背表面上的所述至少一个重新图案化介电层上的多个相应电路线路。
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