[发明专利]硅光电倍增器上重新图案化传输线

权利要求书

1.一种硅光电倍增器阵列，包括：

多个微单元，所述多个微单元在所述硅光电倍增器阵列中并位于硅晶片上，所述多个微单元以行和列布置；

所述多个微单元中的每一个包括输出端口，并配置成提供具有脉冲特征的脉冲波形；

与硅晶片层背表面接触的至少一个重新图案化介电层，所述硅晶片具有与所述背表面相对的有源表面；以及

多个相应硅通孔(TSV)，所述多个相应硅通孔将所述硅晶片的有源表面上的所述多个微单元中的相应微单元的输出端口连接到设置在所述硅晶片的背表面上的所述至少一个重新图案化介电层上的多个相应电路线路。

2.根据权利要求1所述的硅光电倍增器阵列，包括构造为传输线的所述电路线路。

3.根据权利要求1所述的硅光电倍增器阵列，包括邻接所述至少一个重新图案化层的地平面层。

4.根据权利要求1所述的硅光电倍增器阵列，所述介电层包括聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的硅光电倍增器阵列，所述电路线路大体上包括铜、镍和金其中之一。

6.一种制造硅光电倍增器阵列的方法，所述方法包括：

在所述硅光电倍增器阵列中制造多个位于硅晶片上的微单元，所述多个微单元以行和列布置；

在所述硅晶片的背表面上形成至少一个重新图案化介电层，所述背表面与所述硅晶片的有源表面相对；以及

产生多个相应硅通孔(TSV)，所述多个相应硅通孔(TSV)将所述多个微单元中的相应微单元的所述输出端口连接到所述至少一个重新图案化介电层上的多个相应电路线路。

7.根据权利要求6所述的方法，包括应用重新图案化技术以产生所述介电表面。

8.根据权利要求7所述的方法，所述重新图案化技术包括应用液体聚酰亚胺。

9.根据权利要求6所述的方法，包括执行光刻图案化工艺和干法蚀刻工艺其中之一以制造所述TSV。

10.根据权利要求6所述的方法，所述多个相应电路线路中的每一个具有在约小于1微米到约大于10微米的范围内的厚度。

11.根据权利要求6所述的方法，包括通过蒸发沉积工艺和光刻工艺其中之一形成所述多个电路线路。