[发明专利]一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法

摘要

本发明属于有机光电材料技术领域，公开了一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法。所述倒置型底发射有机发光二极管依次由衬底、阴极、有机异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和阳极顺次连接组成。所述有机异质结电荷产生层是由p型有机半导体和n型有机半导体组成的双层有机半导体异质结或两种有机半导体混合的体异质结。本发明采用有机半导体异质结作为电子注入层，解决了倒置型底发射OLED的电子注入问题，使制备的倒置型底发射OLED显示了高效率的特点，简化了器件结构和工艺。

主权项

1.一种倒置型底发射有机发光二极管，其特征在于：所述倒置型底发射有机发光二极管依次由衬底、阴极、有机异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和阳极顺次连接组成；所述有机异质结电荷产生层是由p型有机半导体和n型有机半导体组成的双层有机半导体异质结或两种有机半导体混合的体异质结；所述p型有机半导体为m‑MTDATA、TAPC或NPB，n型有机半导体为HAT‑CN；所述电子/激子阻挡层材料为TCTA和TAPC中的一种；所述空穴传输层材料为NPB、TCTA、TAPC中的一种掺杂HAT‑CN组成，空穴传输层材料中HAT‑CN的掺杂浓度为10～30wt.％；所述空穴注入层材料为HAT‑CN。