[发明专利]一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于有机光电材料技术领域，公开了一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法。所述倒置型底发射有机发光二极管依次由衬底、阴极、有机异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和阳极顺次连接组成。所述有机异质结电荷产生层是由p型有机半导体和n型有机半导体组成的双层有机半导体异质结或两种有机半导体混合的体异质结。本发明采用有机半导体异质结作为电子注入层，解决了倒置型底发射OLED的电子注入问题，使制备的倒置型底发射OLED显示了高效率的特点，简化了器件结构和工艺。

技术领域

本发明属于有机光电材料技术领域，具体涉及一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode OLED)是最具发展前景的平板显示和照明技术，目前已经得到了广泛的研究。与无机LED相比，OLED具有材料选择范围宽、驱动电压低、发光亮度和效率高、响应速度快、发光视角宽、超薄、重量轻，且主动发光、可制作在柔性衬底上、可弯曲、大面积、透明、易于集成和光线柔和等特点。因此，工业界投入了大量资金进行其产业化研究，取得了显著进展，目前OLED已经在手机、电视等方面得到了应用，也有OLED照明灯产品展示。

OLED通常包括阳极、阴极和夹在两个电极之间的有机电致发光单元，有机电致发光单元至少包括一个空穴传输层、一个发光层和一个电子传输层，这是一种多层结构OLED。美国柯达公司的邓青云等人给出了很好的描述(C.W.Tang,S.A.VanSlyke,Appl.Phys.Lett.51,pp913,(1987)；专利US4356429、US4769292和US4885211)。相对于单层结构OLED来说，这些多层结构OLED的性能得到了显著提高。

OLED作为新一代的显示技术越来越成熟，已经开始进入市场，但是如何与现有加工工艺相兼容显得越来越重要，其中有源驱动OLED将成为平板显示的主力之一。低温多晶硅(Low-temperature polycrystalline,LTPS)和无定形非晶硅(Amorphous silicon,α-Si)薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)是目前用于有源驱动OLED中的主要基板技术(backplane technology)，其中LTPS因为有比α-Si更高的载流子迁移率，以及在其上可以制造n型、p型薄膜晶体管的优点，目前商品化的产品(如BenQ-Siemens S88 2英寸移动显示屏和Sony CLIEPEG-VZ90 3.8英寸PDA)主要使用它作为基板。由于常规OLED(conventionalOLED)主要使用氧化铟锡(ITO)透明电极作为阳极固定在玻璃基板上，然后在其上构造器件，光从器件底部经ITO发出，所以作为常规OLED的驱动晶体管用p型TFT可以很方便的使ITO与TFT的漏极联接，从而简化工艺，提高器件的稳定性。尽管使用LTPS TFT有这些优点，但是与无定形非晶硅相比，仍存在一些劣势：首先在制造工艺上，在LTPS背板上制备常规有源驱动OLED比在无定形硅上需要更多掩模板；其次，基于LTPS背板的OLED在与其它器件的集成性、产量和成本上都无法与现在已经很成熟的无定形非晶硅底板制造工艺相比，这在大规模显示器上尤其明显。但是在无定形非晶硅上制备TFT只能是n型晶体管，这也就意味着OLED和TFT的源极连接也只能通过阳极，这会因为OLED材料不同影响源极电压的稳定性，从而影响器件的稳定性与寿命。