[发明专利]一种倒置型底发射有机发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种倒置型底发射有机发光二极管，其特征在于：所述倒置型底发射有机发光二极管依次由衬底、阴极、有机异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和阳极顺次连接组成；

所述有机异质结电荷产生层是由p型有机半导体和n型有机半导体组成的双层有机半导体异质结或两种有机半导体混合的体异质结；

所述p型有机半导体为m-MTDATA、TAPC或NPB，n型有机半导体为HAT-CN；

所述电子/激子阻挡层材料为TCTA和TAPC中的一种；所述空穴传输层材料为NPB、TCTA、TAPC中的一种掺杂HAT-CN组成，空穴传输层材料中HAT-CN的掺杂浓度为10～30wt.％；所述空穴注入层材料为HAT-CN。

2.根据权利要求1所述的一种倒置型底发射有机发光二极管，其特征在于：所述电子传输层材料为金属氧化物掺杂在Bepp₂、Bphen或BmPyPB中形成，所述金属氧化物为碳酸锂、碳酸铯中的一种，金属氧化物的掺杂浓度为2～3wt.％；所述空穴/激子阻挡层材料为Be(pp)₂、Bphen或者BmPyPB。

3.根据权利要求1所述的一种倒置型底发射有机发光二极管，其特征在于：所述磷光染料掺杂发光层中，磷光染料为红光、绿光、蓝光三种磷光染料中的任意一种；所述绿光磷光染料为Ir(ppy)₂(acac)；红光磷光染料为Ir(MDQ)₂(acac)；蓝光磷光染料为FIrpic。

4.根据权利要求3所述的一种倒置型底发射有机发光二极管，其特征在于：所述磷光染料掺杂发光层为绿光磷光染料Ir(ppy)₂(acac)分别掺杂在电子传输材料Be(pp)₂和空穴传输材料TCTA的双发光层；或红光磷光染料Ir(MDQ)₂(acac)掺杂在空穴传输材料NPB的发光层；或蓝光磷光染料FIrpic分别掺杂在双极传输材料26DCzPPy和空穴传输材料TCTA的双发光层。

5.根据权利要求4所述的一种倒置型底发射有机发光二极管，其特征在于：所述绿光磷光染料在电子传输材料Be(pp)₂中的掺杂浓度为5～8wt.％，在空穴传输材料TCTA中的掺杂浓度为5～8wt.％；所述红光磷光染料在空穴传输材料NPB中的浓度为5wt.％；所述蓝光磷光染料在双极传输材料26DCzPPy中的浓度为15～20wt.％，在空穴型传输材料TCTA中的浓度为10wt.％。

6.根据权利要求1～5任一项所述的一种倒置型底发射有机发光二极管，其特征在于：所述异质结电荷产生层的厚度为25～35纳米，电子传输层的厚度为20～40纳米、空穴/激子阻挡层的厚度为10纳米，磷光染料掺杂发光层的厚度为10～15纳米，电子/激子阻挡层的厚度为5～20纳米，空穴传输层的厚度为40～70纳米，空穴注入层的厚度为8～10纳米，阳极的厚度为100～200纳米。

7.权利要求1～6任一项所述的一种倒置型底发射有机发光二极管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：

先将衬底上的阴极光刻成细条状的电极，然后清洗，氮气吹干，并在真空烘箱内在120℃烘烤0.5～1h，然后转移到真空镀膜系统中，待真空达到1～5×10^-4帕时，依次在阴极上蒸镀异质结电荷产生层、电子传输层、空穴/激子阻挡层、磷光染料掺杂发光层、电子/激子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，得到所述倒置型底发射有机发光二极管。