[发明专利]电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法

摘要

本发明公开了一种电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。包括：提供一设有外延层的衬底；在P型半导体层和N型半导体层上铺设电流阻挡层材料；在电流阻挡层材料上形成负性光刻胶；对设定区域的负性光刻胶进行遮挡，并对没有被遮挡的负性光刻胶进行曝光；去除负性光刻胶中没有被曝光的部分；去除没有负性光刻胶遮挡的电流阻挡层材料；对负性光刻胶进行烘烤，使得负性光刻胶的侧面搭在电流阻挡层材料的侧面上形成空腔；将衬底浸泡在腐蚀液中，使得腐蚀液从空腔的缝隙进入空腔对电流阻挡层材料进行腐蚀，形成电流阻挡层，电流阻挡层的侧面和底面之间的夹角腐蚀成锐角；去除负性光刻胶。本发明可降低电压和提高抗静电能力。

主权项

1.一种电流阻挡层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一设有外延层的衬底，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上开设有从所述P型半导体层沿所述外延层的层叠方向延伸到所述N型半导体层的凹槽；在所述P型半导体层和所述N型半导体层上铺设一层电流阻挡层材料；在所述电流阻挡层材料上形成一层负性光刻胶；对设定区域的所述负性光刻胶进行遮挡，并对没有被遮挡的所述负性光刻胶进行曝光，所述负性光刻胶曝光的区域为制作的电流阻挡层对应的区域；去除所述负性光刻胶中没有被曝光的部分，所述负性光刻胶中剩余的部分的侧面和底面之间形成的夹角为钝角，所述负性光刻胶的底面为所述负性光刻胶中与所述电流阻挡层材料接触的表面，所述负性光刻胶的侧面为所述负性光刻胶中与所述负性光刻胶的底面相邻的表面；去除没有所述负性光刻胶遮挡的所述电流阻挡层材料；对所述负性光刻胶进行烘烤，使得所述负性光刻胶的侧面搭在所述电流阻挡层材料的侧面上形成空腔，所述空腔垂直于所述外延层的层叠方向的截面面积沿所述外延层的层叠方向逐渐增大；将所述衬底浸泡在腐蚀液中，使得所述腐蚀液从所述空腔的缝隙进入所述空腔对所述电流阻挡层材料进行腐蚀，形成所述电流阻挡层，所述电流阻挡层的侧面和底面之间的夹角腐蚀成锐角，所述电流阻挡层的底面为所述电流阻挡层中与所述P型半导体层接触的表面，所述电流阻挡层的侧面为所述电流阻挡层中与所述电流阻挡层的底面相邻的表面；去除所述负性光刻胶。