[发明专利]电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法

说明书

本发明公开了一种电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法，属于半导体技术领域。包括：提供一设有外延层的衬底；在P型半导体层和N型半导体层上铺设电流阻挡层材料；在电流阻挡层材料上形成负性光刻胶；对设定区域的负性光刻胶进行遮挡，并对没有被遮挡的负性光刻胶进行曝光；去除负性光刻胶中没有被曝光的部分；去除没有负性光刻胶遮挡的电流阻挡层材料；对负性光刻胶进行烘烤，使得负性光刻胶的侧面搭在电流阻挡层材料的侧面上形成空腔；将衬底浸泡在腐蚀液中，使得腐蚀液从空腔的缝隙进入空腔对电流阻挡层材料进行腐蚀，形成电流阻挡层，电流阻挡层的侧面和底面之间的夹角腐蚀成锐角；去除负性光刻胶。本发明可降低电压和提高抗静电能力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。氮化镓(GaN)基发光二极管是应用广泛的一种发光二极管，具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长和高可靠性等优点。

芯片是发光二极管最重要的组成部分。现有的发光二极管芯片通常包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，P型半导体层上开设有从P型半导体层沿发光二极管的层叠方向延伸到N型半导体层的凹槽，P型半导体层上设有电流阻挡层，电流阻挡层垂直于层叠方向的截面包括一个环形区域和至少一个与环形区域相连的矩形区域，位于环形区域外的P型半导体层上和电流阻挡层上设有透明导电层，位于环形区域内的P型半导体层上、电流阻挡层上和电流阻挡层上的透明导电层上设有P型电极，凹槽内的N 型半导体层上设有N型电极。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

电流阻挡层的侧面垂直于P型半导体层，如果透明导电层的厚度小于电流阻挡层的厚度，则电流阻挡层上的透明导电层和P型半导体层上的透明导电层在电流阻挡层的侧面断裂，P型电极注入的电流不能通过透明导电层均匀流入整个P型半导体层，只能集中流向P型电极下面的P型半导体层上，导致发光二极管芯片的局部电流过大，电压升高，抗静电能力降低。

发明内容

为了解决现有技术发光二极管芯片电压高和抗静电能力低的问题，本发明实施例提供了一种电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种电流阻挡层的制作方法，所述制作方法包括：

提供一设有外延层的衬底，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上开设有从所述P型半导体层沿所述外延层的层叠方向延伸到所述N型半导体层的凹槽；

在所述P型半导体层和所述N型半导体层上铺设一层电流阻挡层材料；

在所述电流阻挡层材料上形成一层负性光刻胶；

对设定区域的所述负性光刻胶进行遮挡，并对没有被遮挡的所述负性光刻胶进行曝光，所述负性光刻胶曝光的区域为制作的电流阻挡层对应的区域；

去除所述负性光刻胶中没有被曝光的部分，所述负性光刻胶中剩余的部分的侧面和底面之间形成的夹角为钝角，所述负性光刻胶的底面为所述负性光刻胶中与所述电流阻挡层材料接触的表面，所述负性光刻胶的侧面为所述负性光刻胶中与所述负性光刻胶的底面相邻的表面；

去除没有所述负性光刻胶遮挡的所述电流阻挡层材料；

对所述负性光刻胶进行烘烤，使得所述负性光刻胶的侧面搭在所述电流阻挡层材料的侧面上形成空腔，所述空腔垂直于所述外延层的层叠方向的截面面积沿所述外延层的层叠方向逐渐增大；