[发明专利]电流阻挡层及发光二极管芯片的制作方法

权利要求书

1.一种电流阻挡层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一设有外延层的衬底，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上开设有从所述P型半导体层沿所述外延层的层叠方向延伸到所述N型半导体层的凹槽；

在所述P型半导体层和所述N型半导体层上铺设一层电流阻挡层材料；

在所述电流阻挡层材料上形成一层负性光刻胶；

对设定区域的所述负性光刻胶进行遮挡，并对没有被遮挡的所述负性光刻胶进行曝光，所述负性光刻胶曝光的区域为制作的电流阻挡层对应的区域；

去除所述负性光刻胶中没有被曝光的部分，所述负性光刻胶中剩余的部分的侧面和底面之间形成的夹角为钝角，所述负性光刻胶的底面为所述负性光刻胶中与所述电流阻挡层材料接触的表面，所述负性光刻胶的侧面为所述负性光刻胶中与所述负性光刻胶的底面相邻的表面；

去除没有所述负性光刻胶遮挡的所述电流阻挡层材料；

对所述负性光刻胶进行烘烤，使得所述负性光刻胶的侧面搭在所述电流阻挡层材料的侧面上形成空腔，所述空腔垂直于所述外延层的层叠方向的截面面积沿所述外延层的层叠方向逐渐增大；

将所述衬底浸泡在腐蚀液中，使得所述腐蚀液从所述空腔的缝隙进入所述空腔对所述电流阻挡层材料进行腐蚀，形成所述电流阻挡层，所述电流阻挡层的侧面和底面之间的夹角腐蚀成锐角，所述电流阻挡层的底面为所述电流阻挡层中与所述P型半导体层接触的表面，所述电流阻挡层的侧面为所述电流阻挡层中与所述电流阻挡层的底面相邻的表面；

去除所述负性光刻胶。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层的侧面和底面之间形成的夹角为30°～40°。

3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述负性光刻胶的厚度为1.9～2.1微米。

4.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，在对没有被遮挡的所述负性光刻胶进行曝光时，曝光的能量为50～200mj/cm²。

5.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述负性光刻胶中没有被曝光的部分，包括：

采用体积浓度为2.3％～2.5％的显影液去除所述负性光刻胶中没有被曝光的部分。

6.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述电流阻挡层材料上形成负性光刻胶之前，在所述电流阻挡层材料上涂上增粘剂。

7.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一设有外延层的衬底，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层上开设有从所述P型半导体层沿所述外延层的层叠方向延伸到所述N型半导体层的凹槽；

采用如权利要求1～6任一项所述的制作方法在所述P型半导体层上形成电流阻挡层，所述电流阻挡层的侧面和底面之间形成的夹角为锐角，所述电流阻挡层的底面为所述电流阻挡层中与所述P型半导体层接触的表面，所述电流阻挡层的侧面为所述电流阻挡层中与所述电流阻挡层的底面相邻的表面；

在位于所述电流阻挡层外的所述P型半导体层上和所述电流阻挡层上形成透明导电层；

在位于所述电流阻挡层内的所述P型半导体层上、所述电流阻挡层上和所述电流阻挡层上的所述透明导电层上设置P型电极，并在所述凹槽内的所述N型半导体层上设置N型电极。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层的侧面和底面之间形成的夹角为30°～40°。

9.根据权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电层的厚度小于所述电流阻挡层的厚度。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述电流阻挡层的厚度为1000～2000埃，所述透明导电层的厚度为200～800埃。