[发明专利]内插器、半导体封装和制造内插器的方法有效

专利信息
申请号: 201710324633.1 申请日: 2017-05-10
公开(公告)号: CN107393834B 公开(公告)日: 2023-07-18
发明(设计)人: 姜芸炳;赵泰济;李赫宰;赵汊济 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/027
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种制造内插器的方法包括:提供载体基板;在载体基板上形成单元再分布层,该单元再分布层包括导电通路插塞和导电再分布线;以及从单元再分布层去除载体基板。形成单元再分布层包括:形成包括第一通路孔图案的第一光敏图案层;在第一光敏图案层上形成第二光敏图案层,第二光敏图案层包括第二通路孔图案和再分布图案;用导电材料至少部分地填充第一通路孔图案、第二通路孔图案和再分布图案的内部;以及执行平坦化以使单元再分布层的顶表面变平。根据该方法,在导电结构下面没有底切发生并且在相邻的导电结构之间没有气泡,因而器件可靠性增强并且图案精确性被实现。
搜索关键词: 内插 半导体 封装 制造 方法
【主权项】:
一种制造内插器的方法,所述方法包括:提供载体基板;在所述载体基板上形成单元再分布层,所述单元再分布层包括导电通路插塞和导电再分布线;以及从所述单元再分布层去除所述载体基板,其中形成所述单元再分布层包括:形成包括第一通路孔图案的第一光敏图案层;在所述第一光敏图案层上形成第二光敏图案层,所述第二光敏图案层包括第二通路孔图案和再分布图案;用导电材料至少部分地填充所述第一通路孔图案、所述第二通路孔图案和所述再分布图案的内部;以及平坦化所述单元再分布层以形成平的顶表面。
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