[发明专利]内插器、半导体封装和制造内插器的方法有效
| 申请号: | 201710324633.1 | 申请日: | 2017-05-10 |
| 公开(公告)号: | CN107393834B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 姜芸炳;赵泰济;李赫宰;赵汊济 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种制造内插器的方法包括:提供载体基板;在载体基板上形成单元再分布层,该单元再分布层包括导电通路插塞和导电再分布线;以及从单元再分布层去除载体基板。形成单元再分布层包括:形成包括第一通路孔图案的第一光敏图案层;在第一光敏图案层上形成第二光敏图案层,第二光敏图案层包括第二通路孔图案和再分布图案;用导电材料至少部分地填充第一通路孔图案、第二通路孔图案和再分布图案的内部;以及执行平坦化以使单元再分布层的顶表面变平。根据该方法,在导电结构下面没有底切发生并且在相邻的导电结构之间没有气泡,因而器件可靠性增强并且图案精确性被实现。 | ||
| 搜索关键词: | 内插 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造内插器的方法,所述方法包括:提供载体基板;在所述载体基板上形成单元再分布层,所述单元再分布层包括导电通路插塞和导电再分布线;以及从所述单元再分布层去除所述载体基板,其中形成所述单元再分布层包括:形成包括第一通路孔图案的第一光敏图案层;在所述第一光敏图案层上形成第二光敏图案层,所述第二光敏图案层包括第二通路孔图案和再分布图案;用导电材料至少部分地填充所述第一通路孔图案、所述第二通路孔图案和所述再分布图案的内部;以及平坦化所述单元再分布层以形成平的顶表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





