[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括高电阻器件区，高电阻器件区由器件区和边缘区组成；在器件区和边缘区的基底上形成分立的虚拟伪栅；在虚拟伪栅露出的基底上形成层间介质膜，层间介质膜覆盖虚拟伪栅顶部；对层间介质膜进行平坦化处理，使剩余层间介质膜露出虚拟伪栅顶部，且剩余层间介质膜作为层间介质层。相比未形成虚拟伪栅的方案，本发明在后续形成层间介质层的平坦化处理过程中，可以提高层间介质层的顶部平坦度，改善层间介质层的顶部凹陷(Dishing)问题，从而有利于改善半导体结构的性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括高电阻器件区，所述高电阻器件区由器件区和边缘区组成；在所述器件区和边缘区的基底上形成分立的虚拟伪栅；在所述虚拟伪栅露出的基底上形成层间介质膜，所述层间介质膜覆盖所述虚拟伪栅顶部；对所述层间介质膜进行平坦化处理，使剩余层间介质膜露出所述虚拟伪栅顶部，且所述剩余层间介质膜作为层间介质层。