[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底以及位于衬底上的多个分立的鳍部，所述衬底包括高电阻器件区，所述高电阻器件区由器件区和边缘区组成；

分别在所述器件区和边缘区的基底上形成多个分立的虚拟伪栅；所述器件区的基底上形成的虚拟伪栅，横跨器件区上的各所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面；所述边缘区的基底上形成的虚拟伪栅，横跨所述边缘区上的各所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面；

在所述虚拟伪栅露出的基底上形成层间介质膜，所述层间介质膜覆盖所述虚拟伪栅顶部；

对所述层间介质膜进行平坦化处理，使剩余层间介质膜露出所述虚拟伪栅顶部，且所述剩余层间介质膜作为层间介质层；

形成所述层间介质层之后，去除所述边缘区的虚拟伪栅，在所述层间介质层内形成开口；

形成填充满所述开口的虚拟金属栅；

在位于所述器件区的层间介质层上形成金属层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的延伸方向垂直于所述虚拟伪栅的延伸方向。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层中掺杂有N离子或者C离子。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为TiN、TaN、TiCN和TiC中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属层的厚度为至

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述金属层之后，还包括步骤：形成与所述金属层电连接的导电插塞。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述器件区与所述边缘区之间的间距为5nm至2000nm。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括衬底以及位于衬底上的多个分立的鳍部，所述衬底包括高电阻器件区，所述高电阻器件区由器件区和边缘区组成；

多个分立的虚拟伪栅，分别位于所述器件区和边缘区的基底上；所述器件区的基底上形成的虚拟伪栅，横跨器件区上的各所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面；所述边缘区的基底上形成的虚拟伪栅，横跨所述边缘区上的各所述鳍部，且覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面；

层间介质层，位于所述虚拟伪栅露出的基底上，所述层间介质层露出所述虚拟伪栅顶部；

位于所述器件区的层间介质层上形成金属层。