[发明专利]读取非易失性存储设备的方法有效
| 申请号： | 201710320596.7 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107403636B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 平野诚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/18 | 分类号： | G11C7/18;G11C7/12;G11C8/14;G11C8/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张泓 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种读取包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面的非易失性存储设备的方法，其中，所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储标志的标志区域，所述方法包括：将第一读取电压施加到选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志；将第二读取电压施加到选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志；通过对第一读出数据和第二读出数据执行逻辑运算来产生确定数据；基于确定数据和读取标志确定移位电压；以及基于移位电压将第三读取电压施加到选择的字线以产生读取数据。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 非易失性 存储 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种读取非易失性存储设备的方法，非易失性存储设备包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面，所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储与数据区域的信息相对应的标志的标志区域，所述方法包括：通过读出多个位线，将第一读取电压施加到多个字线之中的选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志，所述第一读出数据和所述第一读出标志分别对应于存储在耦合到选择的字线的选择的页面中的存储数据和存储标志；通过读出多个位线，将第二读取电压施加到选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志，所述第二读出数据和所述第二读出标志分别对应于存储在选择的页面中的存储数据和存储标志；通过对第一读出数据和第二读出数据执行逻辑操作来产生确定数据；通过对包括在确定数据中的具有第一逻辑电平的位数进行计数产生计数值；通过对第一读出标志和第二读出标志中的一个执行错误检查和纠正操作产生读取标志；基于计数值和读取标志确定移位电压；以及通过读出多个位线，将通过将第一读取电压移位移位电压确定的第三读取电压施加到选择的字线以产生读取数据，所述读取数据对应于存储在选择的页面的存储数据。
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