[发明专利]读取非易失性存储设备的方法有效

专利信息
申请号: 201710320596.7 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN107403636B 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 平野诚 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/18 分类号: G11C7/18;G11C7/12;G11C8/14;G11C8/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张泓
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 读取 非易失性 存储 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种读取非易失性存储设备的方法,所述非易失性存储设备包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面,所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储与所述数据区域的信息相对应的标志的标志区域,所述方法包括:

通过读出所述多个位线,将第一读取电压施加到所述多个字线之中的选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志,所述第一读出数据和所述第一读出标志分别对应于存储在耦合到所述选择的字线的选择的页面中的存储数据和存储标志;

通过读出所述多个位线,将第二读取电压施加到所述选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志,所述第二读出数据和所述第二读出标志分别对应于存储在所述选择的页面中的所述存储数据和所述存储标志;

通过对所述第一读出数据和所述第二读出数据执行逻辑操作来产生确定数据;

通过对包括在所述确定数据中的具有第一逻辑电平的位数进行计数产生计数值;

通过对所述第一读出标志和所述第二读出标志中的一个执行错误检查和纠正操作产生读取标志;

基于所述计数值和所述读取标志确定移位电压;以及

通过读出所述多个位线,将通过将所述第一读取电压移位所述移位电压确定的第三读取电压施加到所述选择的字线以产生读取数据,所述读取数据对应于存储在所述选择的页面中的所述存储数据。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,同时执行通过对包括在所述确定数据中的具有所述第一逻辑电平的所述位数进行计数产生所述计数值以及通过对所述第一读出标志和所述第二读出标志中的一个执行所述错误检查和纠正操作产生所述读取标志。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,通过第一数据锁存器和第一标志锁存器分别锁存所述第一读出数据和所述第一读出标志,

通过第二数据锁存器和第二标志锁存器分别锁存所述第二读出数据和所述第二读出标志,以及

通过对所述第一数据锁存器锁存的所述第一读出数据和所述第二数据锁存器锁存的所述第二读出数据执行所述逻辑操作产生的所述确定数据以及由所述第一标志锁存器锁存的所述第一读出标志和由所述第二标志锁存器锁存的所述第二读出标志中的一个分别由数据高速缓存锁存器和标志高速缓存锁存器锁存。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,基于所述计数值和所述读取标志确定所述移位电压包括:

基于所述读取标志纠正所述计数值以产生纠正的计数值;

当所述纠正的计数值增加时增加所述移位电压;以及

当所述纠正的计数值减小时减小所述移位电压。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述存储标志包括表示当对所述数据区域执行编程操作时的温度的温度值。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,基于所述计数值和所述读取标志确定所述移位电压包括:

当包括在所述读取标志中的所述温度值增加时,减小所述计数值以产生纠正的计数值;

当包括在所述读取标志中的所述温度值减小时,增加所述计数值以产生所述纠正的计数值;

当所述纠正的计数值增加时增加所述移位电压;以及

当所述纠正的计数值减小时减小所述移位电压。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述存储标志包括所述数据区域的编程/擦除周期的数量。

8.根据权利要求7所述的方法,其中,基于所述计数值和所述读取标志确定所述移位电压包括:

当包括在所述读取标志中的所述编程/擦除周期的数量增加时,减小所述计数值以产生纠正的计数值;

当包括在所述读取标志中的所述编程/擦除周期的数量减小时,增加所述计数值以产生所述纠正的计数值;

当所述纠正的计数值增加时增加所述移位电压;以及

当所述纠正的计数值减小时减小所述移位电压。

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