[发明专利]读取非易失性存储设备的方法

说明书

一种读取包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面的非易失性存储设备的方法，其中，所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储标志的标志区域，所述方法包括：将第一读取电压施加到选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志；将第二读取电压施加到选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志；通过对第一读出数据和第二读出数据执行逻辑运算来产生确定数据；基于确定数据和读取标志确定移位电压；以及基于移位电压将第三读取电压施加到选择的字线以产生读取数据。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年5月10日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2016-0056818号韩国专利申请的优先权，其内容通过引用整体并入本文。

技术领域

示例性实施例涉及非易失性存储设备，更具体地，涉及读取非易失性存储设备的方法。

背景技术

半导体存储设备可以分为易失性半导体存储设备和非易失性半导体存储设备。易失性半导体存储设备可以高速执行读和写操作，而当设备断电时，存储在其中的内容可能丢失。非易失性半导体存储设备即使在断电时也可以保存其中存储的内容。为此，非易失性半导体存储设备可以用于存储不管设备是通电还是断电都要保留的内容。

非易失性半导体存储设备可以包括掩模只读存储器(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)等。

闪存设备可以是典型的非易失性存储设备。闪存设备可以被广泛用作电子装置(诸如计算机、蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、摄像机、录音机、MP3播放器、手持PC、游戏机、传真机、扫描仪、打印机等)的语音和图像存储介质。

因为近来越来越需要高度集成存储设备，因此存储单元的尺寸变得越来越小。

当存储单元的尺寸减小，由于存储单元之间的干扰，读取错误更容易发生。

发明内容

本发明构思的至少一些示例性实施例旨在提供一种读取非易失性存储设备的方法，其增加了非易失性存储设备的操作可靠性。

本发明构思的至少一些示例性实施例旨在提供一种执行读取非易失性存储设备的方法的非易失性存储设备。

根据本发明构思的至少一些示例性实施例，一种读取包括耦合到多个字线和多个位线的多个页面的非易失性存储设备的方法，其中，所述多个页面中的每一个包括存储数据的数据区域和存储与数据区域的信息相对应的标志的标志区域，通过读出多个位线，将第一读取电压施加到多个字线之中的选择的字线以产生第一读出数据和第一读出标志，所述第一读出数据和所述第一读出标志分别对应于存储在耦合到选择的字线的选择的页面中的数据和标志；通过读出多个位线，将第二读取电压施加到选择的字线以产生第二读出数据和第二读出标志，所述第二读出数据和所述第二读出标志分别对应于存储在选择的页面中的数据和标志；通过对第一读出数据和第二读出数据执行逻辑运算来产生确定数据；通过对包括在确定数据中的具有第一逻辑电平的位数进行计数产生计数值；通过对第一读出标志和第二读出标志中的一个执行错误检查和纠正操作产生读取标志；基于计数值和读取标志确定移位电压；以及通过读出多个位线，将通过将第一读取电压移位移位电压确定的第三读取电压施加到选择的字线以产生读取数据，所述读取数据对应于存储在选择的页面的数据。