[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201710316224.7 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN106992215B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 顾可可;杨妮;李辉;刘信 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，在应用于显示领域的情况下，能够在沟道的宽长比一定的情况下，有利于增加亚像素单元的开口率。该薄膜晶体管包括栅极、半导体有源层、源极、漏极；源极包括连接部以及依次平行设置的第一子部、第二子部、第三子部，其中，在子部的第一端，连接部连接第一子部、第二子部、第三子部以形成相邻的两个凹部；在子部的第二端，第二子部的端部到连接部的距离小于第一子部和第三子部的端部到连接部的距离；漏极包括连接块以及分别位于两个凹部中的第一漏极和第二漏极，连接块至少部分位于第一漏极和第二漏极之间以连接第一漏极和第二漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、半导体有源层、源极、漏极；/n所述源极包括连接部以及依次设置的第一子部、第二子部、第三子部，其中，在所述子部的第一端，所述连接部连接所述第一子部、所述第二子部、所述第三子部以形成相邻的两个凹部；在所述子部的第二端，所述第二子部的端部到所述连接部的距离小于所述第一子部和所述第三子部的端部到所述连接部的距离；/n所述漏极包括连接块以及分别位于所述两个凹部中的第一漏极和第二漏极，所述连接块至少部分位于所述第一漏极和所述第二漏极之间以连接所述第一漏极和所述第二漏极；/n所述连接块与所述栅极在所述第一漏极和所述第二漏极之间具有重叠部分。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710316224.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
