[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置

说明书

本发明实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，在应用于显示领域的情况下，能够在沟道的宽长比一定的情况下，有利于增加亚像素单元的开口率。该薄膜晶体管包括栅极、半导体有源层、源极、漏极；源极包括连接部以及依次平行设置的第一子部、第二子部、第三子部，其中，在子部的第一端，连接部连接第一子部、第二子部、第三子部以形成相邻的两个凹部；在子部的第二端，第二子部的端部到连接部的距离小于第一子部和第三子部的端部到连接部的距离；漏极包括连接块以及分别位于两个凹部中的第一漏极和第二漏极，连接块至少部分位于第一漏极和第二漏极之间以连接第一漏极和第二漏极。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置。

背景技术

在显示技术领域，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)作为制作显示装置的重要器件，对显示装置的显示品质起着重要作用，例如，在显示装置的阵列基板中的阵列排布的每一亚像素中，一般至少包括一个TFT，其中，双U形结构的TFT因可实现较大的工作电流而被广泛应用。

如图1所示，为现有的显示装置的阵列基本中的一种双U形结构的TFT，该TFT包括栅极10、有源层20、源极31、漏极32。其中，该TFT的源极31为并列双U形结构，漏极32包括分别位于两个U形凹部内的两个子部301，且该两个子部301通过连接块300连接，一般的，该连接块300面积较大，并且，如图2所示，该连接块300通过位于上方的过孔40与像素电极50连接。

然而，如图2所示，该连接块300位于栅极10以外的区域，并采用不透光材质制成，这样一来，对于一个亚像素而言，由于对应连接块300的区域面积较大，从而导致像素电极50的相对面积减小，即该亚像素单元的开口率较小。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，该薄膜晶体管在应用于显示领域的情况下，能够在沟道的宽长比一定的情况下，有利于增加亚像素单元的开口率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例一方面提供一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、半导体有源层、源极、漏极；所述源极包括连接部以及依次平行设置的第一子部、第二子部、第三子部，其中，在所述子部的第一端，所述连接部连接所述第一子部、所述第二子部、所述第三子部以形成相邻的两个凹部；在所述子部的第二端，所述第二子部的端部到所述连接部的距离小于所述第一子部和所述第三子部的端部到所述连接部的距离；所述漏极包括连接块以及分别位于所述两个凹部中的第一漏极和第二漏极，所述连接块至少部分位于所述第一漏极和所述第二漏极之间以连接所述第一漏极和所述第二漏极。

进一步的，所述连接块全部位于所述第一漏极和所述第二漏极之间，且所述连接块的上边缘与所述第一漏极和所述第二漏极的上边缘平齐。

进一步的，所述栅极具有镂空部，且所述镂空部与所述连接块中位于所述第一漏极和所述第二漏极之间的部分对应。

进一步的，沿与所述第一端到所述第二端的方向垂直的方向上，所述镂空部的尺寸与所述第一漏极和所述第二漏极在该方向上的距离相等。

进一步的，在沿与所述第一端到所述第二端的方向上，所述镂空部的尺寸与所述连接块中位于所述第一漏极和所述第二漏极之间的部分在该方向上的尺寸相等。

进一步的，在所述连接块全部位于所述第一漏极和所述第二漏极之间，且所述连接块的上边缘与所述第一漏极和所述第二漏极的上边缘平齐的情况下，在沿与所述第一端到所述第二端的方向上，所述镂空部的上边缘超出所述连接块的上边缘，所述镂空部的下边缘超出所述连接块的下边缘。

进一步的，所述镂空部为位于所述栅极靠近所述连接块的上边缘一侧的缺口。

进一步的，所述源极和所述漏极的投影均落入所述半导体有源层。