[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、半导体有源层、源极、漏极；

所述源极包括连接部以及依次设置的第一子部、第二子部、第三子部，其中，在所述子部的第一端，所述连接部连接所述第一子部、所述第二子部、所述第三子部以形成相邻的两个凹部；在所述子部的第二端，所述第二子部的端部到所述连接部的距离小于所述第一子部和所述第三子部的端部到所述连接部的距离；

所述漏极包括连接块以及分别位于所述两个凹部中的第一漏极和第二漏极，所述连接块至少部分位于所述第一漏极和所述第二漏极之间以连接所述第一漏极和所述第二漏极；

所述连接块与所述栅极在所述第一漏极和所述第二漏极之间具有重叠部分。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述连接块全部位于所述第一漏极和所述第二漏极之间，且所述连接块的上边缘与所述第一漏极和所述第二漏极的上边缘平齐。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极具有镂空部，且所述镂空部与所述连接块中位于所述第一漏极和所述第二漏极之间的部分对应。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿与所述第一端到所述第二端的方向垂直的方向上，所述镂空部的尺寸与所述第一漏极和所述第二漏极在该方向上的距离相等。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，在沿与所述第一端到所述第二端的方向上，所述镂空部的尺寸与所述连接块中位于所述第一漏极和所述第二漏极之间的部分在该方向上的尺寸相等。

6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述连接块全部位于所述第一漏极和所述第二漏极之间，且所述连接块的上边缘与所述第一漏极和所述第二漏极的上边缘平齐的情况下，在沿与所述第一端到所述第二端的方向上，所述镂空部的上边缘超出所述连接块的上边缘，所述镂空部的下边缘超出所述连接块的下边缘。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述镂空部为位于所述栅极靠近所述连接块的上边缘一侧的缺口。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和所述漏极的投影均落入所述半导体有源层。

9.一种阵列基板，其特征在于，划分为阵列排布的亚像素，每一亚像素包括像素电极和权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管，所述像素电极与所述薄膜晶体管的连接块连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。