[发明专利]像素电路结构及使用其的显示器件有效
| 申请号： | 201710309568.5 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN107093618B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 肖丽;玄明花;陈小川;杨盛际;刘冬妮;付杰;王磊;卢鹏程 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邢雪红;王卫忠 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种像素电路结构及使用其的显示器件。像素电路结构包括：金属遮光层；形成在金属遮光层上的至少一个缓冲层；形成在所述至少一个缓冲层上的薄膜晶体管；形成在所述薄膜晶体管的栅极上的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上与所述栅极形成存储电容的第二栅极，所述第二栅极与所述薄膜晶体管的电源线电连接；其中所述金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线电连接。通过金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线电连接，形成金属遮光层与电源线并联，降低电源线电阻，减小面板负载，减小电阻压降IR drop；同时增大存储电容Cst。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 电路 结构 使用 显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种像素电路结构，包括：/n金属遮光层，所述金属遮光层包括相互之间电绝缘的至少两个图案；/n形成在金属遮光层上的至少一个缓冲层；/n形成在所述至少一个缓冲层上的薄膜晶体管；/n形成在所述薄膜晶体管的栅极上的绝缘层；以及/n形成在所述绝缘层上与所述栅极形成存储电容的第二栅极，所述第二栅极与所述薄膜晶体管的电源线电连接；/n其中所述金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线和显示数据线电连接；所述金属遮光层中与所述显示数据线电连接的图案不同于与所述薄膜晶体管的电源线电连接的图案。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
