[发明专利]像素电路结构及使用其的显示器件有效
申请号: | 201710309568.5 | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN107093618B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 肖丽;玄明花;陈小川;杨盛际;刘冬妮;付杰;王磊;卢鹏程 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 11438 北京律智知识产权代理有限公司 | 代理人: | 邢雪红;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 结构 使用 显示 器件 | ||
1.一种像素电路结构,包括:
金属遮光层,所述金属遮光层包括相互之间电绝缘的至少两个图案;
形成在金属遮光层上的至少一个缓冲层;
形成在所述至少一个缓冲层上的薄膜晶体管;
形成在所述薄膜晶体管的栅极上的绝缘层;以及
形成在所述绝缘层上与所述栅极形成存储电容的第二栅极,所述第二栅极与所述薄膜晶体管的电源线电连接;
其中所述金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线和显示数据线电连接;所述金属遮光层中与所述显示数据线电连接的图案不同于与所述薄膜晶体管的电源线电连接的图案。
2.根据权利要求1所述的像素电路结构,其特征在于,通过过孔来进行所述金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线的所述电连接。
3.根据权利要求1所述的像素电路结构,其特征在于,通过过孔来进行所述金属遮光层与所述显示数据线的所述电连接。
4.根据权利要求2或3所述的像素电路结构,其特征在于,所述过孔位于所述薄膜晶体管的电源线或所述显示数据线在所述金属遮光层上的投影与所述金属遮光层的交叉处。
5.根据权利要求1所述的像素电路结构,其特征在于,所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
6.根据权利要求1所述的像素电路结构,其特征在于,所述像素电路结构用于有机电致发光显示器件。
7.一种显示器件,包括:
根据权利要求1-5任一项所述的像素电路结构;
形成在所述像素电路结构上的显示元件。
8.根据权利要求7所述的显示器件,其特征在于,所述显示元件包括:
形成在所述像素电路结构上的像素电极;
形成在所述像素电极上的发光层;以及
形成在所述发光层上的顶电极。
9.根据权利要求8所述的显示器件,其特征在于,所述发光层为有机发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的