[发明专利]像素电路结构及使用其的显示器件

说明书

本公开提供一种像素电路结构及使用其的显示器件。像素电路结构包括：金属遮光层；形成在金属遮光层上的至少一个缓冲层；形成在所述至少一个缓冲层上的薄膜晶体管；形成在所述薄膜晶体管的栅极上的绝缘层；以及形成在所述绝缘层上与所述栅极形成存储电容的第二栅极，所述第二栅极与所述薄膜晶体管的电源线电连接；其中所述金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线电连接。通过金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线电连接，形成金属遮光层与电源线并联，降低电源线电阻，减小面板负载，减小电阻压降IR drop；同时增大存储电容Cst。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种像素电路结构及使用其的显示器件。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)是近年来逐渐发展起来的显示照明技术，尤其在显示行业，是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器相比，由于其具有高响应、高对比度、可柔性化、低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、PDA、数码相机等显示领域OLED已经开始取代传统的LCD显示屏，被视为拥有广泛的应用前景，具有重要的研究意义。尤其是顶发射OLED器件，由于具有更高的开口率，和利用微腔效应实现光取出优化等优点，成为研究的主要方向。

与TFT-LCD利用稳定的电压控制亮度不同，OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制发光，OLED通常采用的低温多晶硅即LTPS(Low Temperature Poly-silicon)制程，若在中大尺寸的高PPI面板使用时，面板的负载较小尺寸会成倍增大，由于像素Pitch变小也会牺牲掉部分的Cst，这样会使显示性能大幅下降。

在中尺寸高PPI面板设计中，较小尺寸低分辨率的面板具有较大的RC load(电阻压降)，这样在LTPS OLED制程中会造成VDD(即薄膜晶体管的电源线)和V_data(即显示数据线或者说显示信号线)等的IR drop较为严重，导致面板显示性能大幅下降，同时，在高PPI面板中，像素尺寸越来越小，信号线的宽度受工艺条件限制较大，会牺牲部分的Cst来保证像素电路结构的排布，为减小电阻负载及增加Cst，就必须从增加Mask即掩模或更换材料等方法进行改变，这样会大大增加了工艺制程的步骤，提高产品成本。

因此，设计一种新的像素电路结构及使用其的显示器件是目前亟待解决的技术问题。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种像素电路结构及使用其的显示器件，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得清晰，或者部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的第一方面，提供一种像素电路结构，包括：

金属遮光层；

形成在金属遮光层上的至少一个缓冲层；

形成在所述至少一个缓冲层上的薄膜晶体管；

形成在所述薄膜晶体管的栅极上的绝缘层；以及

形成在所述绝缘层上与所述栅极形成存储电容的第二栅极，所述第二栅极与所述薄膜晶体管的电源线电连接；

其中所述金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，通过过孔来进行所述金属遮光层与所述薄膜晶体管的电源线的所述电连接。