[发明专利]制造鳍的方法和包括鳍的半导体器件有效
| 申请号： | 201710298768.5 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN107424958B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈志良;赖志明;杨超源;曾晋沅;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;林纬良;周雷峻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/11;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种制造包括FinFET的半导体器件的鳍的方法，包括：形成包括半导体衬底和加盖半导体鳍的结构，加盖半导体鳍被组织成至少第一集合和第二集合，第一集合的每个构件包含具有第一蚀刻灵敏度的第一盖，并且第二集合的每个构件包含具有第二蚀刻灵敏度的第二盖，第二蚀刻灵敏度不同于第一蚀刻灵敏度；以及从结构去除消除第一集合的选择构件和第二集合的选择构件。本发明的实施例还提供了一种包括鳍的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 包括 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的鳍的方法，所述方法包括：形成结构，所述结构包括半导体衬底和多个加盖半导体鳍，所述多个加盖半导体鳍被组织成至少第一集合和第二集合；所述第一集合的每个构件均包含具有第一蚀刻灵敏度的第一盖；和所述第二集合的每个构件均包含具有第二蚀刻灵敏度的第二盖，所述第二蚀刻灵敏度不同于所述第一蚀刻灵敏度；以及从所述结构中去除所述第一集合的选择构件和所述第二集合的选择构件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710298768.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柔性TFT基板的制作方法
- 下一篇：半导体封装件及半导体封装件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
