[发明专利]制造鳍的方法和包括鳍的半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的鳍的方法，所述方法包括：

形成结构，所述结构包括半导体衬底和多个加盖半导体鳍，所述多个加盖半导体鳍被组织成至少第一集合和第二集合；

所述第一集合的每个构件均包含具有第一蚀刻灵敏度的第一盖；和

所述第二集合的每个构件均包含具有第二蚀刻灵敏度的第二盖，所述第二蚀刻灵敏度不同于所述第一蚀刻灵敏度；以及

从所述结构中去除所述第一集合的选择构件和所述第二集合的选择构件，

其中，所述去除包括：

去除所述第二集合的选择构件的第二盖，得到第二脱盖鳍；

去除所述第一集合的选择构件的第一盖，得到第一脱盖鳍；以及

从所述结构去除所述第一脱盖鳍和所述第二脱盖鳍，从而形成多个半导体鳍，

其中，对于所述多个半导体鳍的所有半导体鳍，具有第一半导体鳍厚度和第二半导体鳍厚度的所述多个半导体鳍的任何给定的第一半导体鳍和第二半导体鳍，所述第二半导体鳍厚度在所述第一半导体鳍厚度的80％至120％的范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二半导体鳍厚度为所述第一半导体鳍厚度的80％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第二集合的选择构件的所述第二盖包括：

在所述第二集合的未选择构件上方形成第一掩模以暴露出所述第二集合的选择构件；

利用适于所述第二蚀刻灵敏度的第二蚀刻剂来蚀刻所述第二集合的选择构件和所述第一集合的其它构件以从所述第二集合的每个选择构件处去除所述第二盖，得到所述第二脱盖鳍；以及

去除所述第一掩模。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述第二集合的未选择构件上方形成所述第一掩模包括：

延伸所述第一掩模的跨度以覆盖所述第一集合的一些构件。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，去除所述第一集合的所述选择构件的所述第一盖包括：

在所述第一集合的未选择构件上方形成第二掩模以暴露出所述第一集合的所述选择构件；

利用适于所述第一蚀刻灵敏度的第一蚀刻剂来蚀刻所述第一集合的所述选择构件和所述第二集合的其它构件以从所述第一集合的每个选择构件处去除所述第一盖；以及

去除所述第二掩模。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

在所述第一集合的未选择构件上方形成第二掩模包括：

延伸所述第二掩模的跨度以覆盖所述第二集合的一些构件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述结构包括：

形成具有分散设置的第一间隔件和蚀刻停止层(ESL)部分的层；

在相应的第一间隔件和蚀刻停止层部分上形成第三间隔件；

去除所述第一间隔件和蚀刻停止层部分的暴露区和所述半导体衬底的位于它们下方的一部分，得到所述加盖半导体鳍的未形成版本；以及

去除所述第三间隔件，得到所述加盖半导体鳍。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成具有分散设置的所述第一间隔件和所述蚀刻停止层部分的所述层包括：

在所述半导体衬底上构建第一芯轴部件，暴露出所述半导体衬底的第一区；

在所述第一区的一些区域中，构建所述半导体衬底上的所述第一间隔件，所述第一间隔件邻接所述第一芯轴部件的侧壁以暴露所述半导体衬底的第二区；

去除所述第一芯轴部件以暴露出所述半导体衬底的第三区；以及

在所述第三区中，形成所述半导体衬底上的所述蚀刻停止层部分，所述蚀刻停止层部分邻接所述第一间隔件的侧壁。