[发明专利]存储器的形成方法

摘要

本发明提供了一种存储器的形成方法，在对应字线位置且靠近有源区的隔离区中形成微沟槽；在有源区中形成栅极，以及在对应字线位置的隔离区中形成导电层，导电层填充微沟槽并与栅极连接，以构成字线。即，填充有导电层的微沟槽和有源区中的衬底在高度方向上至少部分空间重叠，从而，当所形成的存储晶体管导通时，在微沟槽与有源区衬底空间重叠的衬底区域中也能够形成一导电区域，导电区域构成了导电沟道的一部分，这相当于增加了导电沟道的宽度，有利于提高存储晶体管的驱动电流和导通电流。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上定义有用于形成存储晶体管的有源区以及位于所述有源区外围的隔离区；形成微沟槽在所述隔离区对应字线位置且靠近所述有源区中；以及，形成栅极在所述有源区中，并形成导电层在所述隔离区对应字线位置中，所述导电层填充所述微沟槽，所述栅极和所述导电层连接以构成字线。