[发明专利]存储器的形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器的形成方法，在对应字线位置且靠近有源区的隔离区中形成微沟槽；在有源区中形成栅极，以及在对应字线位置的隔离区中形成导电层，导电层填充微沟槽并与栅极连接，以构成字线。即，填充有导电层的微沟槽和有源区中的衬底在高度方向上至少部分空间重叠，从而，当所形成的存储晶体管导通时，在微沟槽与有源区衬底空间重叠的衬底区域中也能够形成一导电区域，导电区域构成了导电沟道的一部分，这相当于增加了导电沟道的宽度，有利于提高存储晶体管的驱动电流和导通电流。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器的形成方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：逻辑器件、存储器件和模拟电路，其中存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例。存储器中通常包括多个存储单元，所述存储单元例如为存储晶体管。

随着半导体制作工艺中集成度的不断增加，提升存储器的集成密度已成为一种趋势。然而，在元件尺寸缩减的要求下，存储晶体管的导电沟道的宽度也会随之缩减，进而使得存储晶体管的驱动电流和导通电流下降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器的形成方法，以使改善所形成的存储器中存储晶体管的驱动电流和导通电流。

为此，本发明提供了一种存储器的形成方法包括：

提供一衬底，所述衬底上定义有用于形成存储晶体管的有源区以及位于所述有源区外围的隔离区；

形成微沟槽在所述隔离区对应字线位置且靠近所述有源区中；以及，

形成栅极在所述有源区中，并形成导电层在所述隔离区对应字线位置中，所述导电层填充所述微沟槽，所述栅极和所述导电层连接以构成字线。

可选的，在形成所述微沟槽之前，还包括：

形成隔离沟槽在所述衬底的所述隔离区中；

形成第一介质层在所述隔离沟槽的侧壁和底部上；以及，

形成第二介质层在所述第一介质层上，所述第二介质层填充所述隔离沟槽，以构成沟槽隔离结构。

可选的，在形成所述第一介质层之后还包括：

刻蚀所述第一介质层，使所述第一介质层刻蚀后的最大高度位置低于所述隔离沟槽的顶部；以及，

填充所述第二介质层在所述隔离沟槽中，位于所述第一介质层的最大高度位置以上的第二介质层构成一掩膜盖层。

可选的，所述微沟槽的形成步骤包括：

在形成所述沟槽隔离结构后，对对应字线位置的所述第一介质层和所述第二介质层执行刻蚀工艺；其中，

对所述第二介质层和所述第一介质层的刻蚀选择比大于1，刻蚀后的所述第一介质层低于刻蚀后的所述第二介质层，使刻蚀后的所述第二介质层和所述隔离沟槽的侧壁之间形成一凹陷区域，以构成所述微沟槽。

可选的，对所述第一介质层和所述第二介质层执行刻蚀工艺以形成所述微沟槽时，还形成导电沟槽在所述微沟槽上方，所述导电沟槽和所述微沟槽连通。

可选的，在形成所述栅极之后，还包括：

执行离子注入工艺，形成源极掺杂区和漏极掺杂区于所述衬底的所述有源区中。

可选的，所述栅极的形成步骤包括：

形成栅极沟槽在所述衬底的所述有源区中；

形成栅氧化层在所述栅极沟槽的侧壁和底部；

形成功函数层在所述栅氧化层上；以及，