[发明专利]存储器的形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上定义有用于形成存储晶体管的有源区以及位于所述有源区外围的隔离区；

形成字线沟槽在所述衬底中，所述字线沟槽和相应的有源区相交，其中所述字线沟槽包括位于所述有源区中的栅极沟槽和位于所述隔离区中的导电沟槽，并且所述导电沟槽连通相邻的栅极沟槽，以及所述字线沟槽还包括位于所述隔离区中的微沟槽，并且所述微沟槽还位于所述导电沟槽的下方并靠近所述有源区；以及，

形成字线在所述字线沟槽中，所述字线包括填充所述栅极沟槽的栅极和填充所述导电沟槽的导电层，所述导电层连接相邻的栅极并且还填充所述微沟槽。

2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述微沟槽之前，还包括：

形成隔离沟槽在所述衬底的所述隔离区中；

形成第一介质层在所述隔离沟槽的侧壁和底部上；以及，

形成第二介质层在所述第一介质层上，所述第二介质层填充所述隔离沟槽，以构成沟槽隔离结构。

3.如权利要求2所述存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述第一介质层之后还包括：

刻蚀所述第一介质层，使所述第一介质层刻蚀后的最大高度位置低于所述隔离沟槽的顶部；以及，

填充所述第二介质层在所述隔离沟槽中，位于所述第一介质层的最大高度位置以上的第二介质层构成一掩膜盖层。

4.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述微沟槽的形成步骤包括：

在形成所述沟槽隔离结构后，对对应字线位置的所述第一介质层和所述第二介质层执行刻蚀工艺；其中，

对所述第一介质层和所述第二介质层的刻蚀选择比大于1，刻蚀后的所述第一介质层低于刻蚀后的所述第二介质层，使刻蚀后的所述第二介质层和所述隔离沟槽的侧壁之间形成一凹陷区域，以构成所述微沟槽。

5.如权利要求4所述的存储器的形成方法，其特征在于，对所述第一介质层和所述第二介质层执行刻蚀工艺以形成所述微沟槽时，还形成导电沟槽在所述微沟槽上方，所述导电沟槽和所述微沟槽连通。

6.如权利要求1至5任一项所述的存储器的形成方法，其特征在于，在形成所述栅极之后，还包括：

执行离子注入工艺，形成源极掺杂区和漏极掺杂区于所述衬底的所述有源区中。

7.如权利要求6所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述栅极的形成步骤包括：

形成栅极沟槽在所述衬底的所述有源区中；

形成栅氧化层在所述栅极沟槽的侧壁和底部；

形成功函数层在所述栅氧化层上；以及，

形成栅极电极层在所述功函数层上，所述栅极电极层填充所述栅极沟槽。

8.如权利要求7所述的存储器的形成方法，其特种在于，所述栅极的形成步骤还包括：

对所述功函数层和所述栅极电极层执行刻蚀工艺，刻蚀后的所述栅极电极层的表面和所述功函数层的表面均低于所述衬底对应所述有源区中源极掺杂区和漏极掺杂区的表面。

9.如权利要求8所述的存储器的形成方法，其特种在于，利用同一道刻蚀工艺同时对所述功函数层和所述栅极电极层进行刻蚀，其中，对所述功函数层和所述栅极电极层的刻蚀选择比大于1，刻蚀后的所述功函数层低于刻蚀后的所述栅极电极层，使刻蚀后的所述栅极电极层的接触表面包括所述栅极电极层的上表面和未被所述功函数层包围的侧表面。

10.如权利要求1至4任一项所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述微沟槽、所述导电沟槽和所述栅极沟槽的形成步骤包括：

形成图像化的掩膜层在所述衬底上，图像化的所述掩膜层定义出所述字线的图形，所述字线的图形包括所述导电沟槽的图形和所述栅极沟槽的图形；以及，

以所述图像化 的掩膜层为掩膜执行刻蚀工艺，形成所述栅极沟槽在有源区中，以及形成所述导电沟槽和所述微沟槽在所述隔离区对应字线的位置中，所述微沟槽位于所述导电沟槽靠近所述栅极沟槽一侧的下方，并与所述导电沟槽连通。