[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710293157.1 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107452595B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 曹钧涵;陈志明;陈汉誉;王嗣裕;赵兰璘;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含半导体结构、介电层、金属‑半导体化合物薄膜以及覆盖层。所述半导体结构具有上表面与侧面。所述介电层包围所述半导体结构的所述侧面，并且暴露所述半导体结构的所述上表面。所述金属‑半导体化合物薄膜位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属‑半导体化合物薄膜的表面的一部分。所述覆盖层包围由所述介电层暴露的所述金属‑半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体结构，具有上表面与侧面；介电层，包围所述半导体结构的所述侧面并且暴露所述半导体结构的所述上表面；金属‑半导体化合物薄膜，位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属‑半导体化合物薄膜的表面的一部分，所述金属‑半导体化合物薄膜具有半导体与第一金属；以及覆盖层，包围由所述介电层暴露的所述金属‑半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层，其中所述覆盖层至少具有所述第一金属的氧化物、所述第一金属的氮化物、所述第一金属的氮氧化物、或所述第一金属的碳化物之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
