[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体结构，具有上表面与侧面；

介电层，包围所述半导体结构的所述侧面并且暴露所述半导体结构的所述上表面；

金属-半导体化合物薄膜，位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属-半导体化合物薄膜的表面的一部分，所述金属-半导体化合物薄膜具有半导体与第一金属；以及

覆盖层，包围由所述介电层暴露的所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层，其中所述覆盖层至少具有所述第一金属的氧化物、所述第一金属的氮化物、所述第一金属的氮氧化物、或所述第一金属的碳化物之一。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述覆盖层实质与所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分共形。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属-半导体化合物薄膜包括镍铂硅化物，且所述第一金属为镍。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述覆盖层的材料包括所述第一金属的所述氧化物以及所述半导体的氧化物。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述覆盖层的材料包括所述第一金属的所述氮化物以及所述半导体的氮化物。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述覆盖层的材料包括所述第一金属的所述氮氧化物以及所述半导体的氮氧化物。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述覆盖层的材料包括所述第一金属的所述碳化物以及所述半导体的碳化物。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述覆盖层具有开口，局部暴露所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，另包括：

层间介电层ILD(inter-layered dielectric)，位于所述介电层上方，其中所述ILD具有贯穿孔，所述贯穿孔连接所述覆盖层的所述开口；以及

导电接点，经由所述ILD的所述贯穿孔与所述覆盖层的所述开口而电连接至所述金属-半导体化合物薄膜。

10.一种半导体装置，包括：

栅极电极，位于半导体衬底上方；

金属-半导体化合物薄膜，位于所述栅极电极上，所述金属-半导体化合物薄膜具有第一金属与硅；

介电层，包围所述栅极电极并且暴露所述金属-半导体化合物薄膜的表面的一部分；

覆盖层，位于所述栅极电极并且暴露所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分上，并且暴露所述介电层的上表面，其中所述覆盖层具有开口，局部暴露所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，所述覆盖层至少具有氮、氧或碳之中至少一种以及所述第一金属与硅；

层间介电层ILD，位于所述介电层上方，其中所述ILD具有贯穿孔，所述贯穿孔连接所述覆盖层的所述开口；以及

导电接点，经由所述ILD的所述贯穿孔与所述覆盖层的所述开口而电连接至所述金属-半导体化合物薄膜。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述覆盖层实质与所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分共形。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述金属-半导体化合物薄膜包括所述第一金属、第二金属与硅。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一金属包括镍，所述第二金属包括铂。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述覆盖层的材料包括所述第一金属的氧化物、所述第一金属的氮化物、所述第一金属的氮氧化物、所述第一金属的碳化物、或其组合。