[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本揭露提供半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包含半导体结构、介电层、金属‑半导体化合物薄膜以及覆盖层。所述半导体结构具有上表面与侧面。所述介电层包围所述半导体结构的所述侧面，并且暴露所述半导体结构的所述上表面。所述金属‑半导体化合物薄膜位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属‑半导体化合物薄膜的表面的一部分。所述覆盖层包围由所述介电层暴露的所述金属‑半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。

技术领域

本揭露是关于半导体装置及其制造方法。

背景技术

在半导体制造中，硅化(silicidation)是用以在半导体结构与金属接点之间，形成低阻抗接点，其中所述半导体结构例如多晶硅栅极电极或源极/漏极区。然而，在硅化操作之后，发现有金属残留物，且所述金属残留物会严重影响半导体装置的电性，特别是会影响先进的半导体制造。

发明内容

本揭露的一些实施例提供一种半导体装置，包括半导体结构，具有上表面与侧面；介电层，包围所述半导体结构的所述侧面并且暴露所述半导体结构的所述上表面；金属-半导体化合物薄膜，位于所述半导体结构上，其中所述介电层暴露所述金属-半导体化合物薄膜的表面的一部分；以及覆盖层，包围由所述介电层暴露的所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分，并且暴露所述介电层。

本揭露的一些实施例提供一种半导体装置，包括半导体衬底；栅极电极，位于所述半导体衬底上方；金属-半导体化合物薄膜，位于所述栅极电极上；介电层，包围所述栅极电极并且暴露所述金属-半导体化合物薄膜的表面的一部分；覆盖层，位于所述栅极电极并且暴露所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分上，并且暴露所述介电层的上表面，其中所述覆盖层具有开口，局部暴露所述金属-半导体化合物薄膜的所述表面的所述部分；层间介电层(ILD)，位于所述介电层上方，其中所述ILD具有贯穿孔，所述贯穿孔连接所述覆盖层的所述开口；以及导电接点，经由所述ILD的所述贯穿孔与所述覆盖层的所述开口而电连接至所述金属-半导体化合物薄膜。

本揭露的一些实施例提供一种制造半导体装置的方法，包括提供衬底，所述衬底具有半导体结构形成于其上；形成金属层于所述衬底与所述半导体结构上方；热处理所述金属层，使得所述金属层与所述半导体结构反应，以形成金属-半导体化合物薄膜于所述半导体结构；形成覆盖层，覆盖所述金属-半导体化合物薄膜并且暴露所述衬底，其中所述覆盖层包围未反应的金属残留物；以及进行湿式清理操作，移除所述未反应的金属残留物。

附图说明

为协助读者达到最佳理解效果，建议在阅读本揭露时同时参考附件图标及其详细文字叙述说明。请注意为遵循业界标准作法，本专利说明书中的图式不一定按照正确的比例绘制。在某些图式中，尺寸可能刻意放大或缩小，以协助读者清楚了解其中的讨论内容。

图1是根据本揭露的各种方面说明制造半导体装置的方法的流程图。

图2A、2B、2C、2D、2E与2F是根据本揭露的一些实施例说明制造半导体装置的各种操作之一的剖面图。

图3是说明在不同条件下铂移除效果的实验结果图式。

图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G与4H是根据本揭露的一些实施例说明制造半导体装置的各种操作之一的剖面图。

图5A、5B、5C、5D、5E、5F与5G是根据本揭露的一些实施例说明制造半导体装置的各种操作之一的剖面图。

具体实施方式