[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底包括第一区和第二区；在基底上形成介质层，第一区介质层内具有第一开口，第二区介质层内具有第二开口，第二开口深宽比大于第一开口深宽比；采用多次原子层沉积步骤在第一开口和第二开口内形成功函数层，原子层沉积步骤包括：在第一开口和第二开口内形成第一前驱体膜；采用第一通气工艺通入第二前驱体，部分第二前驱体与第一前驱体膜反应，第一通气工艺具有第一通气时间；采用第一抽气工艺去除未反应的第二前驱体，第一抽气工艺具有第一抽气时间；多次原子层沉积步骤中，多次第一通气工艺的第一通气时间依次降低；多次第一抽气工艺的第一抽气时间依次增加。所形成晶体管的阈值电压符合设计要求。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区；在所述基底上形成介质层，所述第一区介质层内具有第一开口，所述第二区介质层内具有第二开口，所述第二开口的深宽比大于第一开口的深宽比；采用多次原子层沉积步骤在所述第一开口和第二开口的侧壁和底部表面形成功函数层，每次原子层沉积步骤包括：在所述第一开口和第二开口内形成第一前驱体膜；采用第一通气工艺通入第二前驱体，部分所述第二前驱体与所述第一前驱体膜反应，所述第一通气工艺具有第一通气时间；采用第一抽气工艺去除未与第一前驱体膜反应的第二前驱体，形成功函数材料膜，所述第一抽气工艺具有第一抽气时间；在所述多次原子层沉积步骤中，多次第一通气工艺的第一通气时间依次减少，多次第一抽气工艺的第一抽气时间依次增加。