[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710281259.1 | 申请日： | 2017-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108630555A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张连家;蓝源富;柯志明 | 申请（专利权）人： | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构，其包括线路载板、至少一芯片以及封装层。线路载板包括介电层、多个导电柱、线路层以及多个保护层。这些导电柱贯穿介电层。各个导电柱具有相对的第一端部与第二端部。第二端部凸出于介电层。线路层位于介电层上。线路层与第一端部连接。这些保护层分别包覆导电柱的第二端部。保护层的材质与导电柱的材质不同。芯片设置于介电层上。芯片与线路层位于介电层的同一侧。芯片电性连接于线路层。封装层设置于介电层上且包覆芯片。另提出一种半导体封装结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 导电柱 线路层 半导体封装结构 第二端部 保护层 第一端部 线路载板 封装层 芯片 包覆芯片 芯片电性 包覆 制造 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构的制造方法，包括：提供基材；在所述基材上形成多个凹陷；在各所述凹陷内分别形成保护层；在各所述保护层上分别形成导电柱；在所述基材上形成介电层，其中所述介电层与所述多个导电柱位于所述基材的同一侧，且所述介电层暴露出所述多个导电柱；在所述介电层上形成线路层，其中所述线路层与所述基材位于所述介电层的相对两侧，且所述线路层与所述多个导电柱电性连接；设置至少一芯片于所述介电层上，并使所述至少一芯片电性连接于所述线路层；形成封装层于所述介电层上，且所述封装层包覆所述至少一芯片；以及移除所述基材，以暴露出所述多个保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力成科技股份有限公司，未经力成科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710281259.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
