[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201710281259.1 | 申请日: | 2017-04-26 |
公开(公告)号: | CN108630555A | 公开(公告)日: | 2018-10-09 |
发明(设计)人: | 张连家;蓝源富;柯志明 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/498;H01L23/31 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 介电层 导电柱 线路层 半导体封装结构 第二端部 保护层 第一端部 线路载板 封装层 芯片 包覆芯片 芯片电性 包覆 制造 贯穿 | ||
1.一种半导体封装结构的制造方法,包括:
提供基材;
在所述基材上形成多个凹陷;
在各所述凹陷内分别形成保护层;
在各所述保护层上分别形成导电柱;
在所述基材上形成介电层,其中所述介电层与所述多个导电柱位于所述基材的同一侧,且所述介电层暴露出所述多个导电柱;
在所述介电层上形成线路层,其中所述线路层与所述基材位于所述介电层的相对两侧,且所述线路层与所述多个导电柱电性连接;
设置至少一芯片于所述介电层上,并使所述至少一芯片电性连接于所述线路层;
形成封装层于所述介电层上,且所述封装层包覆所述至少一芯片;以及
移除所述基材,以暴露出所述多个保护层。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其中移除所述基材的步骤包括:
通过蚀刻制程移除所述基材。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其中所述基材的材质与所述多个保护层的材质不同。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,还包括:
在所述介电层上形成防焊层,且所述防焊层局部覆盖所述线路层。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制造方法,其中形成所述多个凹陷的步骤包括:
在所述基材上形成遮罩层,所述遮罩层具有多个开口以暴露出部分所述基材;以及
移除暴露于所述多个开口的所述基材的局部,以形成所述多个凹陷。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构的制造方法,其中形成所述多个导电柱的步骤包括:
在所述多个开口内形成所述多个导电柱;以及
移除所述遮罩层。
7.一种半导体封装结构,包括:
线路载板,包括:
介电层;
多个导电柱,贯穿所述介电层,其中各所述导电柱具有相对的第一端部与第二端部,且所述第二端部凸出于所述介电层;
线路层,位于所述介电层上,且所述线路层与所述第一端部连接;以及
多个保护层,分别包覆所述多个导电柱的所述多个第二端部,且所述多个保护层的材质与所述多个导电柱的材质不同;
至少一芯片,设置于所述介电层上,其中所述至少一芯片与所述线路层位于所述介电层的同一侧,且所述至少一芯片电性连接于所述线路层;以及
封装层,设置于所述介电层上,且包覆所述至少一芯片。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构,还包括:
防焊层,位于所述介电层与所述至少一芯片之间,且所述防焊层局部覆盖所述线路层。
9.根据权利要求7所述的半导体封装结构,其中各所述导电柱的所述第二端部的截面积小于所述导电柱贯穿所述介电层的部分的截面积。
10.根据权利要求7所述的半导体封装结构,还包括:
多个连接垫,位于所述封装层与所述线路层之间,且所述多个连接垫局部覆盖所述线路层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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