[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201710280348.4 | 申请日： | 2017-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN106992214B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王小元;杨妮;方琰;齐智坚;李少茹 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够解决现有的薄膜晶体管对像素电容的充电率较低导致像素电容充电不足而影响显示器显示品质的问题。包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，位于源极和漏极之间的有源层用于形成主沟道。漏极包括第一漏极和至少一个第二漏极，第一漏极和源极之间的有源层、第二漏极和源极之间的有源层用于形成主沟道的不同部分，第一漏极为信号输入电极，且位于第一漏极和第二漏极之间的有源层用于形成辅助沟道，其中，辅助沟道的沟道长度小于等于主沟道的沟道长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，位于所述源极和所述漏极之间的有源层用于形成主沟道；/n所述漏极包括第一漏极和至少一个第二漏极，所述第一漏极和所述源极之间的有源层、所述第二漏极和所述源极之间的有源层用于形成所述主沟道的不同部分，所述第一漏极为信号输入电极，且位于所述第一漏极和所述第二漏极之间的有源层用于形成辅助沟道，其中，所述辅助沟道的沟道长度小于等于所述主沟道的沟道长度，所述辅助沟道将第一漏极与第二漏极之间隔开；第二漏极不与信号线连接。/n
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