[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，位于所述源极和所述漏极之间的有源层用于形成主沟道；

所述漏极包括第一漏极和至少一个第二漏极，所述第一漏极和所述源极之间的有源层、所述第二漏极和所述源极之间的有源层用于形成所述主沟道的不同部分，所述第一漏极为信号输入电极，且位于所述第一漏极和所述第二漏极之间的有源层用于形成辅助沟道，其中，所述辅助沟道的沟道长度小于等于所述主沟道的沟道长度，所述辅助沟道将第一漏极与第二漏极之间隔开；第二漏极不与信号线连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极包括多个第二漏极，所述第一漏极与每一个所述第二漏极之间的有源层均分别用于形成辅助沟道。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助沟道的沟道长度在2μm-5μm之间。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二漏极靠近所述主沟道一侧的宽度大于等于背离所述主沟道一侧的宽度。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助沟道与所述主沟道之间的夹角角度在30°-60°之间或90°。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，当所述主沟道为U型结构，所述U型结构包括弯折部以及分别与所述弯折部的两端连接的延伸部，所述漏极包括与所述延伸部相对应的条形臂以及与所述弯折部对应的连接臂，所述连接臂分别连接所述条形臂的两端，所述辅助沟道形成于所述漏极的连接臂以外的部分。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述辅助沟道形成于所述条形臂与所述连接臂相连接的位置。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，以及设置在衬底基板上的多个如权利要求1-7任一项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。

10.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成包括有栅极的第一导电层、栅绝缘层、有源层、包括源极和漏极的第二导电层；其中，所述有源层用于形成所述源极和所述漏极之间的主沟道，所述漏极包括第一漏极和至少一个第二漏极，所述第一漏极和所述源极之间的有源层、所述第二漏极和所述源极之间的有源层用于形成所述主沟道的不同部分，所述第一漏极为信号输入电极，且位于所述第一漏极和所述第二漏极之间的有源层用于形成辅助沟道，所述辅助沟道的沟道长度小于等于所述主沟道的沟道长度；所述辅助沟道将第一漏极与第二漏极之间隔开；第二漏极不与信号线连接。