[发明专利]一种增光膜晶体硅太阳能电池板及其制造方法在审
申请号: | 201710271979.X | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN108735824A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 苏维燕;林金锡;王国祥;林金汉;林俊良 | 申请(专利权)人: | 常州亚玛顿股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 李杰 |
地址: | 213021 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种增光膜晶体硅太阳能电池板及其制造方法,属于晶体硅太阳能电池技术领域,包括晶体硅电池基体(1),晶体硅电池基体(1)上设有减反射膜堆(2),减反射膜堆(2)上设有增光膜(3),解决了现行的晶体硅太阳能电池片在多个波段附近增光效果差的技术问题,本发明能达到更好的减反射效果,降低了晶硅太阳能电池短波部分的反射率,提高太阳能电池的短路电流。 | ||
搜索关键词: | 增光膜 晶体硅太阳能电池板 晶体硅电池 减反射膜 晶体硅太阳能电池片 晶体硅太阳能电池 晶硅太阳能电池 减反射效果 太阳能电池 短路电流 增光效果 反射率 波段 短波 制造 | ||
【主权项】:
1.一种增光膜晶体硅太阳能电池板,其特征在于:包括晶体硅电池基体(1),晶体硅电池基体(1)上设有减反射膜堆(2),减反射膜堆(2)上设有增光膜(3);所述减反射膜堆(2)的材料为SiNx或SiOx,所述减反射膜堆(2)的厚度为70~120nm,所述减反射膜堆(2)的折射率为1.8~2.3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州亚玛顿股份有限公司,未经常州亚玛顿股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710271979.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种二极管及其制作方法
- 下一篇:太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的