[发明专利]一种增光膜晶体硅太阳能电池板及其制造方法在审
| 申请号： | 201710271979.X | 申请日： | 2017-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108735824A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 苏维燕;林金锡;王国祥;林金汉;林俊良 | 申请（专利权）人： | 常州亚玛顿股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 213021 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增光膜 晶体硅太阳能电池板 晶体硅电池 减反射膜 晶体硅太阳能电池片 晶体硅太阳能电池 晶硅太阳能电池 减反射效果 太阳能电池 短路电流 增光效果 反射率 波段 短波 制造 | ||
1.一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：包括晶体硅电池基体(1)，晶体硅电池基体(1)上设有减反射膜堆(2)，减反射膜堆(2)上设有增光膜(3)；
所述减反射膜堆(2)的材料为SiNx或SiOx，所述减反射膜堆(2)的厚度为70～120nm，所述减反射膜堆(2)的折射率为1.8～2.3。
2.如权利要求1所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：所述增光膜(3)的材料为AlOx或SiOx。
3.如权利要求2所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：所述增光膜(3)的折射率为1.2～1.4，厚度为20～80nm。
4.如权利要求2所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：所述增光膜(3)的折射率为1.6～1.8，厚度为60～140nm。
5.如权利要求1所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：晶体硅电池基体(1)上设有细柵线和主柵线，所述增光膜(3)设在所述减反射膜堆(2)和所述细柵线上。
6.如权利要求1所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板，其特征在于：晶体硅电池基体(1)为单晶硅和多晶硅。
7.一种增光膜晶体硅太阳能电池板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1：将增光膜材料以喷涂、刷涂或滚涂的方法均匀地涂覆在晶体硅电池基体(1)上；
步骤2：涂覆增光膜材料的晶体硅电池基体(1)放入高温箱进行固化，固化温度为90～200度,固化时间为0.1～10分钟，所述高温箱以热风方式或红外方式进行固化；
步骤3：对高温固化完成后的晶体硅电池基体(1)进行排串和层叠的加工。
8.如权利要求7所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板的制造方法，其特征在于：在执行步骤1之前，首先使用遮挡材料对晶体硅电池基体(1)上的主栅线进行遮挡，所述遮挡材料为PET胶带,铝箔或金属胶带；
在执行步骤2之后，对晶体硅电池基体(1)进行串焊加工。
9.如权利要求7所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板的制造方法，其特征在于：在执行步骤1之前首先对晶体硅电池基体(1)进行串焊加工。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
